[实用新型]一种提高产品均一性的MOCVD设备排气管道

说明书

本实用新型属于机械技工技术领域，涉及一种能够改善Aixtron CriusII MOCVD机型排气性能的管道结构，具体为一种提高产品均一性的MOCVD设备排气管道，将原有的双管隔离式排气管改成单管式排气管，原位于排气管中间的固定支柱改成位于边缘的固定边。本实用新型的单管式排气管相比双管隔离式排气管排气面积增大50％，气流能更顺畅的排出，避免了气体回流的产生。由于排气面积增大，管路中的废弃物不易聚积，减少了维护次数，有效提升了产能。

技术领域

本实用新型属于机械技工技术领域，涉及一种能够改善Aixtron CriusII MOCVD机型排气性能的管道结构，具体为一种提高产品均一性的MOCVD设备排气管道。

背景技术

金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vaper Deposition，简称MOCVD)是制备GaN基半导体器件的一种主要技术。GaN基半导体器件对GaN基薄膜材料的生长质量、厚度的均匀性等要求非常严格，反应过程中气体流动问题是影响其质量和厚度的重要因素之一。现有的Aixtron CriusII机型由于其排气管设计原因，气体排放流动不顺畅，导致反应时在石墨盘的边缘会产生气体回流现象，从而导致外圈产品的生长均一性较差，影响产品质量。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型设计了一种新型排气管道，改善了反应时气体排放流动不顺畅的问题，避免了气体回流现象的产生，提高了石墨盘边缘产品的生长均一性，提升了产品整体亮度。同时，由于排气面积增大，管路中的废弃物不易聚积，减少了维护次数，有效提升了产能。

本实用新型的技术方案：

一种提高产品均一性的MOCVD设备排气管道，将原有的双管隔离式排气管改成单管式排气管，原位于排气管中间的固定支柱改成位于边缘的固定边。

本实用新型的有益效果：

1、本实用新型的单管式排气管相比双管隔离式排气管排气面积增大50％，气流能更顺畅的排出，避免了气体回流的产生。

2、由于排气面积增大，管路中的废弃物不易聚积，减少了维护次数，有效提升了产能。

附图说明

图1(a)是原双管的俯视图。

图1(b)是原双管的侧视图。

图1(c)是原双管的前视图。

图2(a)是本实用新型的单管的俯视图。

图2(b)是本实用新型的单管的侧视图。

图2(c)是本实用新型的单管的前视图。

图3是排气管接口位置及气体回流现象示意简图。

图中：L1是排气管的长度；L2是排气管的宽度；H是排气管的厚度。

具体实施方式

以下结合附图和技术方案，进一步说米本实用新型的具体实施方式。

实施例

一种提高产品均一性的MOCVD设备排气管道，将原有的双管隔离式排气管改成单管式排气管，更改后的单管式排气管的排气孔面积比原有双管隔离式排气管的排气孔面积总和增加50％，排气管长度不变，原位于排气管中间的固定支柱改成位于边缘的固定边。