[实用新型]一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管

说明书

本实用新型属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管。所述薄膜晶体管由依次层叠的玻璃衬底、ITO栅极、Si₃N₄栅极绝缘层、IGZO半导体层、Al₂O₃半导体修饰层以及两侧的源漏电极构成，所述Si₃N₄栅极绝缘层完全覆盖ITO栅极，所述源漏电极由内至外依次具有AZO/Al/AZO/Al/AZO的五层堆叠结构，源漏电极最内层与Si₃N₄栅极绝缘层、IGZO半导体层和Al₂O₃半导体修饰层两侧均接触。本实用新型的源漏电极为AZO/Al/AZO/Al/AZO五层堆叠结构，能够降低薄膜的接触电阻率并实现高透光性。

技术领域

本实用新型属于薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管。

背景技术

目前将室温制备的纯AZO(掺铝的氧化锌)材料应用在TFT的源漏电极中主要面临的困难是AZO的电阻率较高，且作为TFT源漏电极的接触电阻很高，无法实现TFT器件的高性能。

现已有解决上述问题的技术主要是通过在AZO之间插入一层超薄Ag金属层，该金属层为薄膜提供了大量的电子，该三明治结构的薄膜可以实现电阻率的大幅度降低(ParkH K,Kang J W,Na S I,et al.Characteristics of indium-free GZO/Ag/GZO and AZO/Ag/AZO multilayer electrode grown by dual target DC sputtering at roomtemperature for low-cost organic photovoltaics[J].Solar Energy Materials&Solar Cells,2009,93(11):1994-2002；Sutthana S,Hongsith N,Choopun S.AZO/Ag/AZOmultilayer films prepared by DC magnetron sputtering for dye-sensitized solarcell application[J].Current Applied Physics,2010,10(3):813-816.)。

上述技术虽然能室温制备出具有一定透明度且低电阻率的薄膜，但是其中间的夹层超薄金属是Ag材料。Ag为贵重金属，其资源稀缺、成本高。三明治结构的AZO/Ag/AZO叠层薄膜在产业化的推进过程中会因为成本因素而受到阻碍。此外，AZO/Ag/AZO薄膜没有进行接触电阻等条件的优化，暂时没有实现在透明TFT的源漏电极上的应用。

实用新型内容

针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本实用新型的目的在于提供一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管。

本实用新型目的通过以下技术方案实现：

一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管，由依次层叠的玻璃衬底、ITO(氧化铟锡)栅极、Si₃N₄栅极绝缘层、IGZO(铟镓锌氧化物)半导体层、Al₂O₃半导体修饰层以及两侧的源漏电极构成，所述Si₃N₄栅极绝缘层完全覆盖ITO栅极，所述源漏电极由内至外依次具有AZO/Al/AZO/Al/AZO的五层堆叠结构，源漏电极最内层与Si₃N₄栅极绝缘层、IGZO半导体层和Al₂O₃半导体修饰层两侧均接触。