[实用新型]一种基于新型连接层的叠层光电探测器

权利要求书

1.一种基于新型连接层的叠层光电探测器，包括前探测器、连接层和后探测器，其特征在于：所述的连接层层叠于前探测器之上，所述的后探测器层叠于连接层之上，所述的连接层为四层结构，包括第一连接层，第二连接层，第三连接层和第四连接层，所述的第二连接层层叠于第一连接层之上，所述的第三连接层层叠于第二连接层之上，所述的第四连接层层叠于第三连接层之上；所述的第一连接层为MoO3，第一连接层的厚度为1 nm，所述的第二连接层为CuPc，第二连接层的厚度为2 nm，所述的第三连接层为C60，第三连接层的厚度为3nm，所述的第四连接层为Ag，第四连接层的厚度为0.25 nm；所述的前探测器包括依次层叠的基底、第一阳极修饰层、第一光吸收层和第一阴极修饰层，所述的基底为ITO导电玻璃，所述的第一阳极修饰层为PEDOT:PSS，所述的第一阳极修饰层的厚度为36 nm，所述的第一光吸收层为CH3NH3PbI3，所述的第一光吸收层的厚度为150 nm，所述的第一阴极修饰层为PCBM，所述的第一阴极修饰层为的厚度为25 nm；所述的后探测器包括依次层叠的第二阳极修饰层、第二光吸收层、第二阴极修饰层和反射电极，所述的第二阳极修饰层为MoO3，所述的第一阳极修饰层的厚度为5 nm，所述的第二光吸收层为双层结构，包括依次层叠的ZnPc和C60，其中ZnPc的厚度为40 nm，C60的厚度为50 nm，所述的第二阴极修饰层为BCP，所述的第二阴极修饰层为的厚度为7 nm，所述的反射电极为Al，所述的反射电极的厚度为160 nm。