[实用新型]一种倒置结构的顶发射光电显示器件

说明书

本实用新型属于光电显示技术领域，具体为一种倒置结构的顶发射光电显示器件,包括衬底，其特征在于：所述衬底上设置有反射电极，反射电极上设置有新型阴极缓冲层，所述的新型阴极缓冲层为三层复合结构，包括第一阴极缓冲层，第二阴极缓冲层和第三阴极缓冲层，第一阴极缓冲层为TiO2，第一阴极缓冲层厚度为30 nm，所述的第二阴极缓冲层设置在第一阴极缓冲层之上，第二阴极缓冲层为Ag，第二阴极缓冲层的厚度为0.3 nm，所述的第三阴极缓冲层设置在第二阴极缓冲层之上，第三阴极缓冲层为BCP，第三阴极缓冲层的厚度为45 nm，所述的新型阴极缓冲层上设置有光发射层，所述的光发射层上设置有阳极缓冲层，阳极缓冲层上设置有透明阳极层。

技术领域

本实用新型属于光电显示技术领域，具体为一种倒置结构的顶发射光电显示器件。

背景技术

经过多年的发展，有机光电显示器件获得了巨大进步，但还是存在一些问题。主要有:传统的正向结构的有机光电显示器件寿命稳定性差，采用倒置结构可以部分解决寿命问题，但是需要设计良好的阴极缓冲层，以降低电极的功函数，促进电子的收集。另一方面，采用传统的底部发射结构的显示器件，由于器件底部还需要配置驱动电路，会大幅降低光出射面积，影响显示器件的开口率，对于倒置结构的显示器件则没有这一问题。因为驱动设计在不透光的底部，光线出射则在器件的顶部。

所以，提供一种倒置结构的顶发射光电显示器件成为我们要解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种倒置结构的顶发射光电显示器件，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种倒置结构的顶发射光电显示器件，包括衬底，其特征在于：所述衬底上设置有反射电极，反射电极上设置有新型阴极缓冲层，所述的新型阴极缓冲层为三层复合结构，包括第一阴极缓冲层，第二阴极缓冲层和第三阴极缓冲层，第一阴极缓冲层为TiO2，第一阴极缓冲层厚度为30 nm，所述的第二阴极缓冲层设置在第一阴极缓冲层之上，第二阴极缓冲层为Ag，第二阴极缓冲层的厚度为0.3 nm，所述的第三阴极缓冲层设置在第二阴极缓冲层之上，第三阴极缓冲层为BCP，第三阴极缓冲层的厚度为45 nm，所述的新型阴极缓冲层上设置有光发射层，所述的光发射层上设置有阳极缓冲层，阳极缓冲层上设置有透明阳极层，所述的透明阳极层为四层结构，包括依次层叠的第一阳极层、第二阳极层、第三阳极层和第四阳极层，所述的第一阳极层为MoO3，第一阳极层的厚度为3 nm，所述的第二阳极层设置于第一阳极层之上，所述的第二阳极层为Ag，第二阳极层厚度为12 nm，所述的第三阳极层设置于第二阳极层之上，所述的第三阳极层为WO3，第三阳极层的厚度为18 nm, 所述的第四阳极层设置于第三阳极层之上，所述的第四阳极层为Al2O3，第四阳极层的厚度为5 nm。

作为优选的，所述的衬底为单晶硅。

作为优选的，所述的反射电极为Al或者Ag，反射电极的厚度为500 nm，反射电极表面均方根粗糙度小于2 nm。

作为优选的，所述的光发射层为Ir(btp)₂(acac)，光发射层的厚度为0.3 nm。

作为优选的，所述的阳极缓冲层为CBP，阳极缓冲层的厚度为28 nm。