[实用新型]一种基于MoS2/NG复合材料的全固态中红外脉冲激光器有效

专利信息
申请号: 201820120144.4 申请日: 2018-01-24
公开(公告)号: CN207819175U 公开(公告)日: 2018-09-04
发明(设计)人: 常建华;戴瑞;杨镇博;杨闵皓;石少航;丁蓉 申请(专利权)人: 南京信息工程大学
主分类号: H01S3/11 分类号: H01S3/11;H01S3/16
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 210044 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 复合材料 平凹镜 红外脉冲 激光器 反射镜 半导体激光器 红外脉冲激光 可饱和吸收体 本实用新型 连续光 平面镜 全固态 输出镜 输出 可饱和吸收 耦合透镜组 两次反射 脉冲输出 依次连接 高能量 纳秒级 波段 带尾 发射
【说明书】:

实用新型公开了一种基于MoS2/NG复合材料的全固态中红外脉冲激光器,包括依次连接的半导体激光器、耦合透镜组、Tm:YLF晶体、平面镜、第一平凹镜、第二平凹镜、反射镜、MoS2/NG复合材料可饱和吸收体、输出镜;通过带尾纤输出的半导体激光器产生792nm连续光经过Tm:YLF晶体,由平面镜输出1910nm连续光,经过第一平凹镜、第二平凹镜的两次反射射向反射镜,再经过反射镜发射进入MoS2/NG复合材料可饱和吸收体后,再经过输出镜输出1910nm波段的中红外脉冲激光。本实用新型提供的中红外脉冲激光器,利用MoS2/NG复合材料的可饱和吸收特性,可获得高能量的中红外脉冲激光,实现纳秒级的脉冲输出。

技术领域

本实用新型涉及一种基于MoS2/NG复合材料的全固态中红外脉冲激光器,属于脉冲激光器技术领域。

背景技术

今年来,随着新型二维半导体材料的发展,一些过渡金属氧化物、过渡金属硫属化合物、石墨烯等新兴材料成为研究人员的重点关注对象。其中以二硫化钼MoS2为代表的新型二维半导体材料,因存在直接带隙结构而成为当前激光器材料的研究热点。二硫化钼晶体是由Mo和S原子以S-Mo-S结构所构成,其中用共价键联接,呈三棱柱状配位结构,层与层之间由微弱的范德华力联接。MoS2为层状物质,随着二硫化钼层数的减少,带隙会越来越大;单层二硫化钼是从间接带隙变成直接带隙,其直接带隙可达到1.8ev,在晶体管、半导体及传感器方面有很大的应用前景。

但是微米尺寸的MoS2本身对氧化还原反应的催化能力非常低,因此在二硫化钼的基础上,想要通过复合材料达到更好的效果。二硫化钼与氮掺杂的石墨烯复合材料,MoS2沉积在NG表面,复合物具有卓越的ORR催化活性和可饱和吸收特性,扩展了二硫化钼在光学领域的应用范围。

实用新型内容

目的:为了克服现有技术中存在的不足,本实用新型提供一种基于MoS2/NG复合材料的全固态中红外脉冲激光器。

技术方案:为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:

一种基于MoS2/NG复合材料的全固态中红外脉冲激光器,包括依次连接的半导体激光器、耦合透镜组、Tm:YLF晶体、平面镜、第一平凹镜、第二平凹镜、反射镜、MoS2/NG复合材料可饱和吸收体、输出镜;所述第一平凹镜的凹面与第二平凹镜的凹面相对,反射镜的反射面朝向MoS2/NG复合材料可饱和吸收体的输入端,MoS2/NG复合材料可饱和吸收体的输出端朝向输出镜。

进一步地,所述半导体激光器发射的连续光波长为 792nm。

进一步地,所述平面镜朝向Tm:YLF晶体的一面镀有792nm增透膜。

进一步地,所述第一平凹镜的凹面镀有1910nm高反膜。

进一步地,所述第二平凹镜的凹面镀有1910nm高反膜。

进一步地,所述反射镜朝向MoS2/NG复合材料可饱和吸收体的反射面镀有1910nm高反膜。

进一步地,所述输出镜朝向MoS2/NG复合材料可饱和吸收体的一面镀有1910nm高透膜。

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