[实用新型]一种具有多级沟槽的碳化硅SBD器件元胞结构有效
| 申请号： | 201820101139.9 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN211480041U | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;徐妙玲 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多级 沟槽 碳化硅 sbd 器件 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有多级沟槽的碳化硅SBD器件元胞结构，其特征在于，所述元胞结构的N-外延层中刻蚀有若干从上到下宽度依次递减的多级深沟槽；所述多级深沟槽的底部及侧壁通过一定角度的P-Plus注入形成一圈P-Plus结构，然后在多级深沟槽中填入绝缘介质、多晶硅或金属，当填充物为所述多晶硅或金属时，多晶硅或金属与肖特基区的肖特基接触金属相连。
2.根据权利要求1所述的具有多级沟槽的碳化硅SBD器件元胞结构，其特征在于，所述多级深沟槽由ICP，RIE或激光烧孔工艺制作而成。
3.根据权利要求1所述的具有多级沟槽的碳化硅SBD器件元胞结构，其特征在于，所述金属为钨或钛。
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