[实用新型]一种石英排废管的安装结构有效
申请号: | 201820099218.0 | 申请日: | 2018-01-22 |
公开(公告)号: | CN207676935U | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 吕海强;郑安;黄杨康 | 申请(专利权)人: | 浙江金乐太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 宁波慈恒专利代理事务所(特殊普通合伙) 33249 | 代理人: | 戚秋鹏 |
地址: | 315200 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 左卡 卡圈 排废管 石英 内槽 转轴 本实用新型 安装结构 定位柱 开口处 伸缩弧 半圆形结构 内部形状 相对设置 转轴连接 内槽沿 内开 焊接 开口 穿过 延伸 | ||
本实用新型公开了一种石英排废管的安装结构,包括左卡圈和右卡圈,所述左卡圈和右卡圈为半圆形结构,且开口处相对设置,所述左卡圈和右卡圈的一端通过转轴连接,且右卡圈上远离转轴的一端焊接有伸缩弧板,所述左卡圈内开设有内槽,且内槽的一端开设有开口,且开口处穿过左卡圈内远离转轴的一端,并延伸至外侧,所述内槽沿左卡圈的内部形状设置,且伸缩弧板上远离右卡圈的一端插入内槽内,所述左卡圈上靠近转轴的一侧设置有定位柱,且定位柱活动插入左卡圈内。本实用新型中,通过设置左卡圈和右卡圈,使石英排废管在安装的时候可以根据石英排废管的大小安装,本装置适合安装排废管的直径范围更广,更加实用。
技术领域
本实用新型涉及石英排废管的技术领域,尤其涉及一种石英排废管的安装结构。
背景技术
在太阳能电池的硅片生产过程中,有一个重要的工序被称为硅片扩散,即将硅片放入高温炉的炉体石英管中,通入氮气和三氯氧磷(POCl3)等气体,让这些气体在高温环境下反应和分解,在硅片表面形成具有单向导电性的空间电荷区,由于该空间电荷区是P型半导体和N型半导体的交界面,因此被称为P-N结。
上述气体反应和分解过程中产生的废气里含有剧毒的偏磷酸,因此需要将石英排废管通过设置在炉体石英管排废插口局部插入炉体石英管内,让废气通过石英排废管安全地排到外部废弃处理装置中,在传统的石英排废管安装的时候,通过固定的卡件套接在石英排废管的外侧,然后再进行安装,但是不同大小的石英排废管需要不同大小的卡件才能进行安装,安装人员往往要根据不同大小的石英排废管,查找不同大小的卡件才能进行安装,增加了石英排废管安装的繁琐性,为此,我们急需提出一种石英排废管的安装结构,来解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种石英排废管的安装结构。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种石英排废管的安装结构,包括左卡圈和右卡圈,所述左卡圈和右卡圈为半圆形结构,且开口处相对设置,所述左卡圈和右卡圈的一端通过转轴连接,且右卡圈上远离转轴的一端焊接有伸缩弧板,所述左卡圈内开设有内槽,且内槽的一端开设有开口,且开口处穿过左卡圈内远离转轴的一端,并延伸至外侧,所述内槽沿左卡圈的内部形状设置,且伸缩弧板上远离右卡圈的一端插入内槽内,所述左卡圈上靠近转轴的一侧设置有定位柱,且定位柱活动插入左卡圈内,并延伸至内槽内,所述伸缩弧板上靠近定位柱的一侧等距离开设有定位槽,且定位柱插入左卡圈内的一端活动卡接在定位槽内,所述左卡圈和右卡圈向相互靠近的一侧面上连接有两组支撑圆柱,且支撑圆柱通过安装柱焊接在左卡圈和右卡圈相互靠近的一侧面上。
优选的,所述左卡圈内靠近内槽的开口处安装有限位齿轮,且限位齿轮的一侧壁穿过内槽的内壁,并活动设置在伸缩弧板的表面。
优选的,所述伸缩弧板上靠近限位齿轮的一侧设置有齿,且伸缩弧板上的齿和限位齿轮上的齿啮合。
优选的,两组所述支撑圆柱沿转轴对称设置,且支撑圆柱的表面活动卡接有卡套环,所述卡套环的外侧通过连接轴固定连接有安装内圈。
优选的,所述安装内圈为弧形结构,且安装内圈对称设置。
优选的,所述定位柱为T形结构,且定位柱未延伸至左卡圈内的一端通过支撑弹簧连接在左卡圈的外壁上。
优选的,所述左卡圈上远离右卡圈的一侧焊接有安装板,且安装板的两端开设有螺丝固定孔。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型中,通过设置左卡圈和右卡圈,使石英排废管在安装的时候可以根据石英排废管的大小安装,本装置适合安装排废管的直径范围更广,更加实用。
2、本实用新型中,通过在左卡圈和右卡圈内设置两组安装内圈,使石英排废管的固定更加稳定,设置可转动的支撑圆柱和卡套环卡接,方便卡接住石英排废管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的