[实用新型]显示面板有效
申请号: | 201820096718.9 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN208142184U | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 王刚;徐凤英;张露;韩珍珍;胡思明;朱晖 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防溢流 发光层 显示面板 薄膜封装层 衬底基板 多层垫 主体部 本实用新型 非显示区域 层叠设置 封装过程 显示区域 有机层 有效地 包覆 高层 封装 穿插 阻挡 | ||
一种显示面板,包括衬底基板、形成在所述衬底基板上的发光层、防溢流结构和薄膜封装层,所述发光层位于显示区域,所述防溢流结构位于非显示区域并围绕所述发光层,所述薄膜封装层包覆所述发光层和所述防溢流结构,所述防溢流结构包括主体部和用于增加所述防溢流结构的高度的多层垫高层,所述多层垫高层与所述主体部穿插层叠设置。本实用新型的显示面板在封装过程中能有效地阻挡有机层的外溢,提高了封装效果。
技术领域
本实用新型涉及一种显示面板,属于OLED显示技术领域。
背景技术
众所周知,柔性显示已逐渐成为了未来显示技术发展的一个重要趋势,有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示具有自发光、轻薄省电等优点,还可基于柔性材料而制成柔性显示装置,可以被卷曲、折叠或者作为可穿戴设备的一部分,在柔性显示领域的优势已经是显而易见。OLED柔性显示装置主要包括软性基板(FlexibleSubstrate)、缓冲层(Buffer Layer)、薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)、有机发光二极管、以及薄膜封装层(Thin Film Encapsulation,TFE)。由于有机发光二极管在接触水、氧后,会与其产生电化学反应,破坏组件内部电极与有机材料,造成发光区的暗点,并降低了组件效率与使用寿命。显示装置对水氧敏感,因此,封装效果直接影响显示器件的使用寿命,所以如何改善OLED柔性显示装置的封装效果,成为了柔性显示发展的重要技术问题之一。
目前OLED柔性显示装置常用的薄膜封装技术采用无机层、有机层交替堆叠来阻隔水氧分子入侵,有机层便会外溢,有机层外溢越多,造成封装失效的风险也就越大。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种显示面板,在封装过程中能有效地阻挡有机层的外溢,提高了封装效果。
本实用新型提供的显示面板,包括衬底基板、形成在所述衬底基板上的发光层、防溢流结构和薄膜封装层,所述发光层位于显示区域,所述薄膜封装层包覆所述发光层,所述防溢流结构包括主体部和多层垫高部,所述多层垫高部与所述主体部穿插层叠设置。
进一步地,所述防溢流结构的主体部包括绝缘材料层、第一材料层、第二材料层和第三材料层的任一种或任几种。
进一步地,所述防溢流结构远离发光层侧的上表面不大于靠近发光层侧的下表面积。
进一步地,所述防溢流结构正截面呈正梯形或者正方形。
进一步地,所述多层垫高部包括硅薄膜层、第一金属层、第二金属层、第三金属层和透明导电层的任几种。
进一步地,所述硅薄膜层的厚度为40~60纳米和/或所述第一金属层的厚度为200~300纳米,所述第二金属层的厚度为200~300纳米和/或所述第三金属层的厚度为400~600纳米和/或所述透明导电层的厚度为100~150纳米。
进一步地,所述第一金属层为栅极层的一部分,所述第二金属层为电容极板的一部分,第三金属层为所述源漏极金属层的一部分,所述第一材料层为所述平坦化层的一部分,所述透明导电层为所述阳极层的一部分,所述第二材料层为所述像素限定层的一部分,所述第三材料层为所述间隔层的一部分。
进一步地,所述主体部高度为4600纳米~5800纳米。
进一步地,所述防溢流结构的有效高度为5500~7160纳米。
进一步地,所述的显示面板是OLED显示面板。
本实用新型实施例提供的显示面板的防溢流结构设有多层垫高层,防溢结构加高,能够有效的防止在薄膜封装过程中有机层外溢导致的封装失效,提高了封装效果。
附图说明
图1为本实用新型第一实施例的显示面板的防溢流结构的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的