[实用新型]发光二极管

说明书

发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，包括形成于所述第一半导体层之上，并与所述第一半导体层形成电性连接；第二电极，形成于所述第二半导体层之上，并与所述第二半导体层形成电性连接；所述第一电极具有焊盘部和扩展部，所述焊盘部的下方设有绝缘层，所述绝缘层具有至少两个块状结构，围绕所述焊盘区的中心区域分布，所述块状结构之间彼此分离。

技术领域

本实用新型涉及半导体元件，尤其是涉及一种发光二极管。

背景技术

由于发光二极管具有寿命长、体积小、高耐震性、发热度小以及耗电量低等优点，发光二极管已被广泛地应用于家电产品以及各式仪器之指示灯或光源。

早期的氮化镓LED芯片制作工艺通常由台面蚀刻(MESA)、制作透明导电层（例如ITO）、制作电极和制作保护层四道工艺组成，其形成的发光二极管芯片如图1所示，其一般包括衬底101、N型层111、发光层112、P型层113、透明导电层120、P电极141(焊盘143和扩展条144)、N电极142和保护层130。在氮化镓LED中，p-GaN由于其载流子迁移率较低，通常会在PAD底部造成一定的电流拥堵。因此，现在通常会在P型电极的底部增加电流阻挡层150，用于抑制电流的过注入，增加透明导电层的电流扩散，如图2所示。该芯片制作工艺通常至少包括台面蚀刻(MESA)、制作电流阻挡层、制作电流扩展层（例如ITO）、制作电极和制作保护层五道工艺。

实用新型内容

本实用新型提供了一种发光二极管，其在电极的焊盘部下方形成一环绕式分离的块状绝缘层，可以增电极焊盘表面的起伏，增强焊线的可靠性，焊球不易脱落或外力作用下不易被推掉。

本实用新型的技术方案为：发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，包括形成于所述第一半导体层之上，并与所述第一半导体层形成电性连接；第二电极，形成于所述第二半导体层之上，并与所述第二半导体层形成电性连接；所述第一电极具有焊盘部和扩展部，所述焊盘部的下方设有绝缘层，所述绝缘层具有至少两个块状结构，围绕所述焊盘区的中心区域分布，所述块状结构之间彼此分离。

优选地，所述块状结构之间具有间隙，所述第一电极的焊盘部与所述扩展部之间的连接部位于所述间隙。

优选地，所述第一电极的焊盘部的部分下表面直接接触所述第一半导体层的表面。

优选地，所述第一电极的焊盘部的上表面呈台阶状。

优选地，所述发光二极管还包括保护层，其覆盖所述发光外延层的上表面，仅在所述第一电极和第二电极的下方形成一些开口作为导电通道。

优选地，所述保护层位于所述第一半导体层与所述第一电极之间。

优选地，所述保护层在第一电极的焊盘部下方形成开口，其面积小于所述第一电极的焊盘部的面积。

优选地，所述绝缘层的块状结构之间围成一个内部区域，所述开口位于所述区域内。

优选地，所述扩展部形成于所述保护层之上，并通过开口结构与所述第一半导体层形成电性连接。

优选地，所述扩展部与所述第一半导体层之间依次设置有保护层、透明导电层和绝缘层。

优选地，所述第一电极的焊盘部与所述第一半导体层之间设有保护层和透明导电层和所述绝缘层，所述第一电极的焊盘部同时与所述保护层和第一半导体层的表面直接接触。

优选地，所述第二电极具有焊盘部和扩展部，所述第二电极的焊盘部形成于所述第二半导体层之上，其与所述第二半导体层之间设置有绝缘层和保护层。