[实用新型]一种长波长LED外延垒晶片及芯片及全彩发光体

权利要求书

1.一种长波长LED外延垒晶片，其特征在于，包括：外延垒晶衬底、CaN 基外延垒晶层，外延垒晶衬底上表面依次垂直生长有CaN 基外延垒晶层，CaN 基外延垒晶层包括：

缓冲层：在n型CaN与外延垒晶衬底之间生长CaN缓冲层；

n型CaN：生长于CaN缓冲层之上，量子阱之下；

InCaN量子阱：为多量子阱，量子阱≥7对，在n型CaN与p型CaN之间，在CaN量子阱中分布沉积有降低带宽间隙的物质；

p型CaN: 生长于InCaN量子阱之上。

2.根据权利要求1所述的长波长LED外延垒晶片，其特征在于，其中所述InCaN量子阱中进一步包含Al，为AlInCaN量子阱。

3.根据权利要求1所述的长波长LED外延垒晶片，其特征在于，其中所述在InCaN量子阱中分布沉积有降低带宽间隙的物质，其中降低带宽间隙的物质为C，C在量子阱中的分布范围为10¹⁶——10²⁰cm^-3。

4.根据权利要求1所述的长波长LED外延垒晶片，其特征在于，其中所述外延垒晶衬底选自：蓝宝石衬底、碳化硅衬底、硅衬底、 CaN衬底、AlN 衬底、ZnO衬底、ZnSe衬底、GaP衬底、GaAs衬底中的一种，或两种或两种以上的复合衬底。

5.根据权利要求4所述的长波长LED外延垒晶片，其特征在于，其中所述外延垒晶衬底材料选自蓝宝石衬底、CaN衬底其中的一种，或两种复合衬底。

6.根据权利要求1所述的长波长LED外延垒晶片，其特征在于，其中所述的CaN 基外延垒晶层包括：缓冲层、n型CaN、量子阱、p型CaN，CaN 基外延垒晶层总厚度为h，控制垒晶层厚度0.35µm<h<6µm。

7.根据权利要求1所述的长波长LED外延垒晶片，其特征在于，其中所述量子阱为多量子阱，量子阱≥7对，其中分布有C的量子阱为以外延垒晶衬底为下，从下至上第三对量子阱之后的量子阱中。

8.根据权利要求7所述的长波长LED外延垒晶片，其特征在于，其中所述C在分布有C的量子阱中的分布范围为10¹⁶——10²⁰cm^-3之间。

9.根据权利要求1所述的长波长LED外延垒晶片，其特征在于，包括外延垒晶衬底、CaN基外延垒晶层，外延垒晶衬底上表面依次垂直生长有CaN 基外延垒晶层，CaN 基外延垒晶层厚度为h，控制垒晶层厚度0.35µm<h<6µm包括：

缓冲层：在n型CaN与外延垒晶衬底之间生长CaN缓冲层；

n型CaN：生长于CaN缓冲层之上，量子阱之下；

AlInCaN量子阱：为多量子阱，量子阱≥7对，在第4对量子阱开始量子阱中C的分布范围为10¹⁶——10²⁰cm^-3之间；

p型CaN: 生长于CaN量子阱之上。

10.一种用权利要求1-9任一项所述的长波长LED外延垒晶片制备的LED芯片，其特征在于，包括：衬底、缓冲层、n型CaN、分布沉积有C的量子阱、p型CaN及分别制备于n型CaN层、p型CaN层之上的n电极和p电极。

11.一种用于电子显示器的LED全彩发光体，其特征在于，包括：基板及固定在基板上的LED芯片：

第一基板划分有像素点区域，制备有同电压电路；

LED芯片包括三原色芯片，其中红光芯片为权利要求10所述的LED芯片；

每组三原色LED芯片包括红、绿、蓝三种色光的LED芯片各一个，与一个像素点区域对应固定于基板；

LED芯片与第一基板上的同电压电路电性连接。