[实用新型]一种单片湿法蚀刻工艺的蚀刻液输送装置有效
| 申请号: | 201820089834.8 | 申请日: | 2018-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN207781540U | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
| 发明(设计)人: | 崔亚东;张文福;高英哲 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/677 |
| 代理公司: | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人: | 丁秀华 |
| 地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 蚀刻液 节流阀 湿法蚀刻 刻蚀腔 输出端 药液槽 输送管路 输送装置 输入端 本实用新型 回流管路 回收阀 单片 蚀刻 输入端管路 调温装置 工艺流量 温度稳定 循环回路 可控性 循环泵 保证 | ||
1.一种单片湿法蚀刻工艺的蚀刻液输送装置,包括依次通过输送管路连接的药液槽、循环泵、调温装置、第一节流阀、刻蚀腔和回收阀,所述回收阀的蚀刻液输出端与药液槽的蚀刻液输入端通过输送管路连接,使所述蚀刻液输送装置形成循环回路,其特征在于:所述第一节流阀的蚀刻液输出端之后、刻蚀腔的蚀刻液输入端之前,设有连接至药液槽的回流管路。
2.根据权利要求1所述的单片湿法蚀刻工艺的蚀刻液输送装置,其特征在于:所述回流管路的蚀刻液输入端管路从上方接入所述第一节流阀的蚀刻液输出端之后的输送管路。
3.根据权利要求2所述的单片湿法蚀刻工艺的蚀刻液输送装置,其特征在于:所述回流管路的蚀刻液输入端管路与第一节流阀的蚀刻液输出端管路是相互垂直的。
4.根据权利要求1或2所述的单片湿法蚀刻工艺的蚀刻液输送装置,其特征在于:所述回流管路上设有回流节流阀。
5.根据权利要求1所述的单片湿法蚀刻工艺的蚀刻液输送装置,其特征在于:所述调温装置与第一节流阀之间设有连接至药液槽的循环管路,所述循环管路上设有自循环节流阀。
6.根据权利要求5所述的单片湿法蚀刻工艺的蚀刻液输送装置,其特征在于:所述循环管路的蚀刻液输入端管路与调温装置的蚀刻液输出端管路是相互垂直的。
7.根据权利要求1-3、5、6任一所述的单片湿法蚀刻工艺的蚀刻液输送装置,其特征在于:在所述回流管路与第一节流阀输出端连接点之后、在刻蚀腔的蚀刻液输入端之前,设有第二节流阀。
8.根据权利要求7所述的单片湿法蚀刻工艺的蚀刻液输送装置,其特征在于:所述第二节流阀的蚀刻液输出端与刻蚀腔的蚀刻液输入端之间设有回吸阀。
9.根据权利要求1所述的单片湿法蚀刻工艺的蚀刻液输送装置,其特征在于:所述刻蚀腔的蚀刻液输出端与药液槽的蚀刻液输入端之间设有排液阀。
10.根据权利要求1所述的单片湿法蚀刻工艺的蚀刻液输送装置,其特征在于:所述调温装置具有冷却或加热的功能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





