[实用新型]图像传感器有效
申请号: | 201820083994.1 | 申请日: | 2018-01-18 |
公开(公告)号: | CN207910897U | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | R·S·约翰森;罗斯·F·杰涂 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H04N5/353 | 分类号: | H04N5/353;H04N5/378;H04N5/235 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 马芬;姚开丽 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 读出 图像传感器 光电二极管 本实用新型 图像像素 源极跟随器晶体管 浮动扩散节点 图像像素阵列 操作期间 曝光水平 图像捕获 图像信号 像素阵列 转换增益 高转换 互连线 互连 像素 共享 合并 | ||
1.一种图像传感器,包括:
光电二极管;以及
耦接到所述光电二极管的第一图像信号读出路径和第二图像信号读出路径,其中所述第一图像信号读出路径和所述第二图像信号读出路径中的至少一者基于曝光水平来选择性地切换为使用状态。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:
插置在所述第一图像信号读出路径中的第一电荷转移栅极;以及
插置在所述第二图像信号读出路径中的第二电荷转移栅极。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:
所述第一图像信号读出路径中的第一浮动扩散节点,其中所述第一浮动扩散节点具有第一电容;以及
所述第二图像信号读出路径中的第二浮动扩散节点,其中所述第二浮动扩散节点具有等于所述第一电容的第二电容,其中在所述曝光水平较低时仅启用所述第一图像信号读出路径,并且其中在所述曝光水平较高时启用所述第一图像信号读出路径和所述第二图像信号读出路径两者。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:
所述第一图像信号读出路径中的第一浮动扩散节点,其中所述第一浮动扩散节点具有第一电容;以及
所述第二图像信号读出路径中的第二浮动扩散节点,其中所述第二浮动扩散节点具有大于所述第一电容的第二电容,其中在所述曝光水平较低时仅启用所述第一图像信号读出路径,并且其中在所述曝光水平较高时仅启用所述第二图像信号读出路径。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中使用可调电源电压选择性地禁用所述第一图像信号读出路径。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,还包括:
多路复用器,所述多路复用器向所述第一图像信号读出路径提供所述可调电源电压。
7.一种图像传感器,包括:
多个图像传感器像素,所述多个图像传感器像素中的每个图像传感器像素包括:
光电二极管;以及
第一图像信号读出路径,其中所述多个图像传感器像素耦接到共享图像传感器读出路径,其中所述多个图像传感器像素在高曝光模式期间单独地使用所述第一图像信号读出路径来读出信号,并且其中所述多个图像传感器像素在低曝光模式期间使用所述共享图像传感器读出路径来读出信号。
8.根据权利要求7所述的图像传感器,其中所述多个图像传感器像素全部与相同的颜色相关联。
9.根据权利要求7所述的图像传感器,其中所述第一图像信号读出路径具有第一浮动扩散电容,其中所述共享图像传感器读出路径具有小于所述第一浮动扩散电容的第二浮动扩散电容,其中在第一管芯中形成所述多个图像传感器像素的第一部分,其中在堆叠于所述第一管芯的顶部上的第二管芯中形成所述多个图像传感器像素的第二部分,其中在所述第二管芯中形成所述多个图像传感器像素中的每个图像传感器像素的所述光电二极管,并且其中在所述第一管芯上形成所述第一浮动扩散电容和所述第二浮动扩散电容。
10.根据权利要求7所述的图像传感器,其中所述多个图像传感器像素中的给定图像传感器像素具有两个源极跟随器晶体管,并且其中所述多个图像传感器像素中除所述给定图像传感器像素以外的每个图像传感器像素仅具有一个源极跟随器晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司,未经半导体元件工业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820083994.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。