[实用新型]基板处理装置有效
申请号: | 201820081583.9 | 申请日: | 2018-01-18 |
公开(公告)号: | CN208045457U | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 金大石;赵珳技 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 朱健;陈国军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板处理装置 工艺位置 载体单元 载体固定 异物 化学机械研磨工艺 本实用新型 搭载基板 路径移动 吸入异物 对基板 固定部 吸入部 去除 吸入 | ||
本实用新型涉及一种基板处理装置,基板处理装置包括:载体单元,其以搭载基板的状态沿着规定的路径移动,并且在规定的工艺位置上进行对基板的化学机械研磨工艺;载体固定部,其在工艺位置上使得载体单元固定;异物吸入部,其从载体固定部吸入异物,并且可以获得如下有利的效果:易于吸入去除在固定部产生的异物。
技术领域
本实用新型涉及一种基板处理装置,更加具体地,涉及一种基板处理装置,其可以有效地去除在使得载体单元固定的载体固定部产生的异物。
背景技术
半导体元件是由微细的电路线以高密度的形式集成而制造的,据此,在晶元表面进行与此相应的精密研磨。为了更加精密地对晶元进行研磨,如图1及图2所示,进行机械研磨和化学研磨并行的化学机械研磨工艺(CMP工艺)。
换句话说,研磨垫11以与研磨平板10一起旋转11d的形式设置于研磨平板10的上面,研磨垫11按压晶元W的同时与晶元W相接触,为了化学研磨,通过供给单元30的研磨液供给口32来供给研磨液的同时,对晶元W进行通过摩擦的机械研磨。此时,晶元W通过载体单元20的载体头22在设定的位置进行旋转20d,并进行精密地使得晶元W平坦化的研磨工艺。
涂覆于所述研磨垫11表面的研磨液可以沿着用附图标号40d表示的方向进行旋转的同时,通过调质器40在研磨垫11上均匀地扩散,并流入到晶元W,调质器40的臂41沿着用41d表示的方向进行回旋运动,研磨垫11可以通过调质器40的机械修整工艺保持一定的研磨面。
另外,在载体单元20配置于对基板进行处理(研磨)的工艺位置上的状态下,如果载体单元20的位置不能固定,则存在的问题在于,难以准确地控制晶元W的研磨量,并且降低晶元W的研磨均匀度,因此在研磨工艺中,应准确地保持(固定)载体单元20配置于工艺位置的状态。为此,现有技术中,在载体单元20配置于工艺位置的状态下,通过载体夹持器50使得载体单元20固定。
另外,在研磨工艺中,在载体单元20产生振动及歪曲,如果在因载体单元20产生的振动及歪曲而使得载体单元20的姿势相对于载体夹持器50歪曲的状态下进行研磨工艺,则存在的问题在于,在载体夹持器50和载体单元20的固定部位(接触部位)52因接触及摩擦而产生粉尘(异物)D。
尤其,如图3所示,在对晶元W的研磨结束后,载体夹持器50从载体单元20分离(隔开)的过程中,若在载体夹持器50产生的异物D向下部落下,则存在的问题在于,配置于载体单元20的下部的研磨垫11被异物D污染或损伤。尤其,如果在研磨垫11被异物D污染的状态下对晶元W进行研磨,则存在的问题在于,降低晶元W的研磨质量和收率。
由此,最近正在进行防止研磨垫被异物污染并使得研磨质量提高的多种研究,但是这还不够,从而要求对此的开发。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,提供一种基板处理装置,其可以有效地去除在使得载体单元固定的载体固定部产生的异物。
此外,本实用新型的目的在于,使得因在载体固定部产生的异物而导致的周围装置的污染及损伤最小化,其中,载体固定部使得载体单元固定。
此外,本实用新型的目的在于,能够提高基板的研磨质量。
此外,本实用新型的目的在于,使得稳定性及可靠性提高,可以提高工艺效率。
根据用于实现如上所述的本实用新型的目的的本实用新型的优选实施例,使得在载体固定部产生的异物被吸入,从而可以防止因异物而导致的周围装置的污染及损伤,并且提高基板的研磨质量,其中,载体固定部使得载体单元固定于工艺位置。
尤其,在相对于载体单元的载体固定部的约束完全被解除之前,使得异物被吸入,从而可以提高异物的吸入效率。
如上所述,根据本实用新型,可以获得如下有利效果:有效地去除在使得载体单元固定的载体固定部产生的异物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造