[实用新型]一种双电压域供电的音频驱动电路及其过压保护电路

说明书

本实用新型适用于集成电路技术领域，提供了一种双电压域供电的音频驱动电路及其过压保护电路。其中，过压保护电路连接第二电压的PMOS管的栅极，当第二电压的PMOS管的栅极电压高于第二电压的PMOS管工作时所能承受的最大电压时，过压保护电路工作，提供过压的泄放通路，以将第二电压的PMOS管的栅极电压钳制在第二电压的PMOS管工作时所能承受的最大电压范围内，保证了音频驱动电路无论在启动或是电路进入非线性工作状态时，都不会因为过压而烧毁，保证了系统工作的安全性。

技术领域

本实用新型属于集成电路技术领域，尤其涉及一种双电压域供电的音频驱动电路及其过压保护电路。

背景技术

传统集成芯片的音频驱动电路是采用3.3V 驱动模式，在驱动耳机时，从3.3V电源抽取大电流，以实现大的输出幅度。

随着便携式设备兴起，低压低功耗设备逐渐成为主流。为了可以有效降低系统功耗并延长便携式设备的使用时间，同时兼顾芯片功能和应用范围的增加，期望芯片同时具备3.3V 驱动模式和1.2V驱动模式。由于在芯片设计中，不同的电压域电路需要采用不同电压的CMOS器件进行设计，因此，通常需要在芯片上采用3.3V MOS器件和1.2V MOS器件分别设计两个音频驱动电路。这样便增加了芯片的设计难度且两个驱动电路占用的layout面积较大，增大了芯片成本。

为此，现有技术提出了一种双电压域供电的音频驱动电路。该音频驱动电路中，输出级采用典型的Class AB结构，该结构由一个PMOS管和NMOS管构成，1.2V电压域的输出级与3.3V电压域的输出级共用一个主体运放，两个输出级共用一个NMOS管，即是说：3.3V电压域的输出级包括一个3.3V PMOS管和一个3.3V NMOS管；1.2V电压域的输出级包括一个1.2VPMOS管和3.3V NMOS管。这样便节省了layout面积，降低了芯片的成本。

但在该双电压域供电的音频驱动电路中，当运放处于非线性状态时，电路内部的节点电压能够达到3.3V电压域，驱动1.2V PMOS管的电压有可能大于1.2V PMOS管工作时所能承受的最大电压，并使得1.2V PMOS管被击穿，造成不可逆的损坏。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种双电压域供电的音频驱动电路的过压保护电路，旨在解决现有技术提供的双电压域供电的音频驱动电路中，驱动1.2V PMOS管的电压有可能大于1.2V PMOS管工作时所能承受的最大电压，进而击穿1.2V PMOS管的问题。

本实用新型是这样实现的，一种双电压域供电的音频驱动电路的过压保护电路，所述双电压域供电的音频驱动电路包括主体运放、第一电压的PMOS管MPD1、第一电压的NMOS管MND1、第二电压的PMOS管MPD2，所述第一电压高于所述第二电压，所述过压保护电路包括供电端、泄放端和控制端，所述供电端连接第二电压线，所述泄放端连接地线，所述控制端连接所述第二电压的PMOS管MPD2的栅极。

进一步地，所述过压保护电路可包括：第一PMOS管MPP0、第二PMOS管MPP1、第一电流源I_S1；所述第一PMOS管MPP0的源极作为所述过压保护电路的控制端，所述第二PMOS管MPP1的源极作为所述过压保护电路的供电端，所述第一PMOS管MPP0的栅极和漏极、以及第二PMOS管MPP1的栅极和漏极相互连接，且连接后通过所述第一电流源I_S1连接地线，所述第一电流源I_S1与所述地线连接的一端作为所述过压保护电路的泄放端。

更进一步地，所述第一电压可以是3.3V，所述第二电压可以是1.2V。