[实用新型]一种高频开关高位取能电源装置有效

专利信息
申请号: 201820066176.0 申请日: 2018-01-16
公开(公告)号: CN207664877U 公开(公告)日: 2018-07-27
发明(设计)人: 刘谈平 申请(专利权)人: 刘谈平
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M7/217;H02H7/12;H02H7/125
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 102200 北京市昌平区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 反馈单元 次级整流滤波 高频开关 输出单元 输出端 本实用新型 复合变压器 电磁隔离 电源装置 高压整流 滤波单元 直流电能 光耦 取能 初级驱动单元 电能转换效率 过压保护单元 低压输出端 低压直流电 高压输入端 单元连接 低压电流 高压输入 供电单元 欠压保护 电连接 高效率 可接受 串联 传输 输出 转换
【权利要求书】:

1.一种高频开关高位取能电源装置,其特征在于:包括高压整流滤波单元(2)、高频开关自取能供电单元(3)、高压输入欠压保护和过压保护单元(4)、复合变压器单元(6)、串联MOSFET单元及其初级驱动单元(7)、PWM控制单元(8)、次级整流滤波输出单元(9)、比较反馈单元和PID反馈单元(10)、光耦电磁隔离反馈单元(11);高压电流通过高压输入端(12)传输到所述高压整流滤波单元(2)内,所述高压整流滤波单元(2)的一个输出端与所述高压输入欠压保护和过压保护单元(4)电连接,高压整流滤波单元(2)的另一个输出端经所述复合变压器单元(6)连接在所述次级整流滤波输出单元(9),所述次级整流滤波输出单元(9)通过低压输出端(13)与负载电器相连接;

所述复合变压器单元(6)经串联MOSFET单元及其初级驱动单元(7)连接在所述PWM控制单元(8)上,所述复合变压器单元(6)的另一个输出与PWM控制单元(8)单元直接相连接,所述次级整流滤波输出单元(9)通过所述比较反馈单元和PID反馈单元(10)与所述光耦电磁隔离反馈单元(11)相连接,所述PWM控制单元(8)的另外两个连接端分别与所述高频开关自取能供电单元(3)、所述光耦电磁隔离反馈单元(11)相连接。

2.根据权利要求1所述的高频开关高位取能电源装置,其特征在于:还包括浪涌保护单元(1),所述浪涌保护单元(1)与所述高压整流滤波单元(2)相连接;当输入电能发生浪涌冲击时,所述浪涌保护单元(1)抑制浪涌冲击实现保护功能。

3.根据权利要求2所述的高频开关高位取能电源装置,其特征在于:所述高压输入欠压保护和过压保护单元(4)与所述PWM控制单元(8)相连接,当高压输入端(12)输入的电压高于或低于设定保护阈值时,所述浪涌保护单元(1)被触动,同时所述高压输入欠压保护和过压保护单元(4)启动工作将信号输入到所述PWM控制单元(8)中,所述PWM控制单元(8)发出指令控制所述串联MOSFET单元及其初级驱动单元(7)关闭,从而关闭复合变压器单元(6)切断电源作业;当输入电压恢复到正常电压时,电源自动恢复工作。

4.根据权利要求1所述的高频开关高位取能电源装置,其特征在于:还包括静态动态均压单元(5),所述静态动态均压单元(5)与所述串联MOSFET单元及其初级驱动单元(7)相连接,所述串联MOSFET单元及其初级驱动单元(7)的各个MOSFET单元在静态待机状态下和开关过程中都保持均压。

5.根据权利要求4所述的高频开关高位取能电源装置,其特征在于:所述串联MOSFET单元及其初级驱动单元(7)包括用于承受高压直流输入用的多个MOSFET功率管和驱动所述多个MOSFET功率管的初级驱动单元,且多个MOSFET功率管在串联结构下同步开关。

6.根据权利要求1所述的高频开关高位取能电源装置,其特征在于:所述PWM控制单元(8)通过所述高频开关自取能供电单元(3)与所述高压整流滤波单元(2)相连接,在待机状态下,所述高频开关自取能供电单元(3)从所述高压整流滤波单元(2)中采用弱小电流取能方式获取弱小功率传递给所述PWM控制单元(8)用于供电;在工作状态下,所述复合变压器单元(6)的另一个输出端提供供电给所述PWM控制单元(8)。

7.根据权利要求1所述的高频开关高位取能电源装置,其特征在于:所述比较反馈单元和PID反馈单元(10)从所述次级整流滤波输出单元(9)输出的低压直流电能采集输出电压信号并进行信号处理,将处理后的反馈信号通过所述光耦电磁隔离反馈单元(11)传递给所述PWM控制单元(8),所述PWM控制单元(8)通过所述初级驱动单元(7)驱动所述复合变压器单元(6)调节所述高压整流滤波单元(2)输出的直流高压电能的斩波脉宽,从而控制所述次级整流滤波输出单元(9)输出低压直流的幅值。

8.根据权利要求7所述的高频开关高位取能电源装置,其特征在于:所述比较反馈单元和PID反馈单元(10)获得反馈信号传递给所述光耦电磁隔离反馈单元(11)从而隔离初次级之间的电磁干扰。

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