[实用新型]一种基于光栅-外腔的半导体阵列激光整形装置

权利要求书

1.一种基于光栅-外腔的半导体阵列激光整形装置，包括半导体激光器阵列（1）、快轴准直镜（2）、慢轴准直镜（3）、伽利略微透镜阵列（6）、变换透镜（7）、光栅（8）、外腔镜（9），所述半导体激光器阵列（1）中心单元与快轴准直镜（2）中心、慢轴准直镜（3）中心、伽利略微透镜阵列（6）中心、变换透镜（7）中心及光栅（8）中心位于同一条直线上；所述的半导体激光器阵列（1）置于快轴准直镜（2）的前焦面；所述慢轴准直镜（3）置于快轴准直镜（2）的后焦面；所述伽利略微透镜阵列（6）位于慢轴准直镜（3）与变换透镜（7）之间；所述的变换透镜（7）的前焦面连接到快轴准直镜（2），后焦面连接到光栅（8）；所述光栅（8）与变换透镜（7）呈23.5°倾斜；所述外腔镜（9）垂直于光栅（8）衍射的-1级方向；其特征在于，所述的伽利略微透镜阵列（6）由平凹镜（4）及平凸镜（5）组成；所述平凹镜（4）位于慢轴准直镜（3）的后焦面。

2.根据权利要求1所述的一种基于光栅-外腔的半导体阵列激光整形装置，其特征在于，所述伽利略微透镜阵列（6）为伽利略式非球面透镜，其空间间隔为60mm。

3.根据权利要求1所述的一种基于光栅-外腔的半导体阵列激光整形装置，其特征在于，所述半导体激光器阵列（1）由9个半导体激光器Bar条组成。

4.根据权利要求1所述的一种基于光栅-外腔的半导体阵列激光整形装置，其特征在于，所述快轴准直镜（2）为非球面柱透镜，其有效焦距为0.41mm。

5.根根权利要求1所述的一种基于光栅-外腔的半导体阵列激光整形装置，其特征在于，所述变换透镜（7）为平凸透镜，其焦距为330mm。

6.根据权利要求1所述的一种基于光栅-外腔的半导体阵列激光整形装置，其特征在于，所述光栅（8）为反射式平面光栅，其刻线密度为2292line/mm。