[实用新型]一种光电探测器有效
| 申请号: | 201820061893.4 | 申请日: | 2018-01-15 |
| 公开(公告)号: | CN207925500U | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
| 发明(设计)人: | 张涛;张景良;王君 | 申请(专利权)人: | 西安雷华测控技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/0203 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 710110 陕西省西安市民用航天基*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 绝缘层 光电探测器 同心环形槽 第二导电层 第一导电层 聚光罩 俘获 基板 本实用新型 传感器领域 层叠结构 电场分布 光利用率 透明 光聚集 光探测 金属层 扩散式 高阻 排布 砷化 填充 照射 | ||
本实用新型公开了一种光电探测器,涉及传感器领域,包括基板,基板由下至上依次设有金属层、第一导电层、绝缘层、第二导电层和透明聚光罩,光电探测器采用层叠结构,且在第一导电层和第二导电层之间设有高阻的绝缘层,从而使得电场分布均匀;另外,绝缘层内设有多个直径大小不同且从内到外扩散式排布的同心环形槽,同心环形槽内填充有光探测材料的砷化镉,然后通过透明聚光罩将光聚集到同心环形槽上,充分利用照射到的光,增加了光的俘获体积和俘获效率,结构简单,光利用率高。
技术领域
本实用新型涉及传感器领域,尤其涉及一种光电探测器。
背景技术
光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途,其原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变,光电探测器能把光信号转换为电信号。传统的光电探测器在采用多层结构时,通常包括衬底、阴极层、阳极层、栅极、漏极、缓冲层、掺杂层和金属氧化物层等,结构较为复杂,且当光照射到光电探测器上时,光利用率低。
发明内容
有鉴于此,本实用新型提供一种光电探测器,其采用层叠结构,且绝缘层的同心环形槽内填充有光探测材料,增加了光的俘获体积和俘获效率,结构简单,光利用率高。
本实用新型通过以下技术手段解决上述问题:
一种光电探测器,包括基板,所述基板上设有金属层,所述金属层上设有第一导电层,且所述第一导电层的长度小于所述金属层的长度;所述第一导电层上设有绝缘层,且所述绝缘层内设有N个直径大小不同的同心环形槽,所述N为大于等于2的整数,所述同心环形槽从内到外扩散式排布,所述同心环形槽内填充有砷化镉,相邻的同心环形槽之间填充有六方氮化硼材料;所述绝缘层上设有第二导电层,所述第二导电层上设有透明聚光罩。
进一步地,所述基板由SOI材料构成,所述金属层由锗材料构成。
进一步地,所述第一导电层的掺杂类型包括P型,所述第二导电层的掺杂类型包括N型。
进一步地,所述第一导电层的掺杂类型包括N型,所述第二导电层的掺杂类型包括P型。
进一步地,所述P型由碲化锌材料构成,所述N型由硅材料构成。
进一步地,还包括壳体,所述基板、金属层、第一导电层、绝缘层和第二导电层均位于所述壳体内。
进一步地,所述壳体包括内层和外层,且所述内层和外层之间填充有复合型珍珠棉材料。
进一步地,所述壳体的侧面设有多个条形散热孔。
进一步地,所述壳体上设有太阳能LED灯。
本实用新型的一种光电探测器具有以下有益效果:
本实用新型提供了一种光电探测器,包括基板,基板由下至上依次设有金属层、第一导电层、绝缘层、第二导电层和透明聚光罩,采用层叠结构,结构简单,且在第一导电层和第二导电层之间设有高阻的绝缘层,相当于第一导电层和第二导电层的内电场就全集中于绝缘层中,从而使得电场分布均匀;另外,绝缘层内设有多个直径大小不同的同心环形槽,且同心环形槽从内到外扩散式排布,同心环形槽内填充有光探测材料的砷化镉,然后通过透明聚光罩将光聚集到同心环形槽上,充分利用照射到的光,增加了光的俘获体积和俘获效率,光利用率高;最后,壳体的内层和外层之间填充有复合型珍珠棉材料,起到了在运输途中本实用新型减震的效果,且壳体端面设置的太阳能LED灯,节能环保便于光电探测器在夜间工作。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型一种光电探测器的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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