[实用新型]用于硅基异质结太阳电池的工序间倒片平台有效
申请号: | 201820055009.6 | 申请日: | 2018-01-14 |
公开(公告)号: | CN207765425U | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 赵学亮;薛俊明;高建军;王占英;李建杰;王燕增;代杰 | 申请(专利权)人: | 河北汉盛光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 衡水市盛博专利事务所 13119 | 代理人: | 李志华 |
地址: | 053000 河北省衡*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 倒片 平台台面 硅基异质结太阳电池 本实用新型 成对设置 载片盒 硅片 电池生产过程 阶梯状连接 电池性能 定位立柱 平台技术 有效减少 阶梯状 流转 传递 引入 保证 | ||
本实用新型属于传递平台技术领域,公开了一种用于硅基异质结太阳电池的工序间倒片平台。其主要技术特征为:包括相连接的第一倒片平台台面和第二倒片平台台面,所述第一倒片平台台面和第二倒片平台台面的连接处为阶梯状,第一倒片平台台面的高度高于第二倒片平台台面的高度,第一倒片平台台面上成对设置有第一限宽条,第二倒片平台台面上成对设置有第二限宽条,第一倒片平台台面和第二倒片平台台面的阶梯状连接处设置有定位立柱。本实用新型所提供的用于硅基异质结太阳电池的工序间倒片平台,既能把工序间硅片载片盒分开又能快速准确的使硅片在不同载片盒间快速流转,使电池生产过程中有效减少杂质引入,保证电池性能的稳定。
技术领域
本实用新型属于传递平台技术领域,尤其涉及一种用于硅基异质结太阳电池的工序间倒片平台。
背景技术
近年来,太阳能光伏产业发展迅猛,传统晶体硅太阳电池产能过剩,同质化竞争问题日渐凸显,开发高效硅异质结太阳电池是解决这一问题的有效途径。在一般的高效硅异质结太阳电池生产过程中,工序间传接硅片通常只有两种办法,一种是不更换载片盒直接传入后道工序,后道使用完成后载片盒再传回前道工序。另一种是更换载片盒,在前道用镊子将硅片一片一片倒入新载片盒中再传入后道工序。但是不论哪种方式都会引入一定杂质影响异质结电池性能,第一种虽然传接速度快但是载片盒会把后道杂质带入前道工序,第二种虽然载片盒分开流转但是用镊子倒片速度过慢,使硅片暴露在空气时间过长,也会引入部分杂质。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题就是提供一种既能把工序间硅片载片盒分开又能快速准确的使硅片在不同载片盒间快速流转,使电池生产过程中有效减少杂质引入,保证电池性能的稳定的用于硅基异质结太阳电池的工序间倒片平台。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:包括相连接的第一倒片平台台面和第二倒片平台台面,所述第一倒片平台台面和第二倒片平台台面的连接处为阶梯状,第一倒片平台台面的高度高于第二倒片平台台面的高度,第一倒片平台台面上成对设置有第一限宽条,第二倒片平台台面上成对设置有第二限宽条,第一倒片平台台面和第二倒片平台台面的阶梯状连接处设置有定位立柱。
其附加技术特征为:所述的定位立柱为一个或两个。
本实用新型所提供的用于硅基异质结太阳电池的工序间倒片平台,制造时,选择两块比载片盒截面大一些的304不锈钢材料,将表面处理光滑,一块高一些,一块低一些,具体高度差以不同载片盒规格差异为准,将其焊接在一起,作为平台平面。高的为第一倒片平台台面,低的为第二倒片平台台面。在第一倒片平台台面和第二倒片平台台面的阶梯状连接处即台阶位置焊接定位立柱,具体位置以载片盒位置为准。在第一倒片平台台面和第二倒片平台台面上面分别焊接第一限宽条和第二限宽条,具体尺寸以载片盒宽度为准。使用时,将不同规格的两个载片盒按第一限宽条的限宽和第二限宽条的限宽及定位立柱放在第一倒片平台台面和第二倒片平台台面上,第一倒片平台台面上的载片盒装有硅片,第二倒片平台台面上的载片盒没有硅片,然后直接将第一倒片平台台面上的载片盒内的硅片推向第二倒片平台台面上的载片盒,即可完成倒片工作。根据需要,定位立柱为一个或两个。
本实用新型所提供的用于硅基异质结太阳电池的工序间倒片平台,通过第一倒片平台台面和第二倒片平台台面的阶梯状设置,满足不同尺寸的载片盒对接,通过在第一倒片平台台面和第二倒片平台台面的阶梯状连接处设置定位立柱,既有定位作用,又能避免载片盒互相挤压造成位置不准确。通过在第一倒片平台台面和第二倒片平台台面上面分别焊接第一限宽条和第二限宽条来固定载片盒,保证硅片传接迅速准确。本实用新型所提供的用于硅基异质结太阳电池的工序间倒片平台,既能把工序间硅片载片盒分开又能快速准确的使硅片在不同载片盒间快速流转,使电池生产过程中有效减少杂质引入,保证电池性能的稳定。
附图说明
图1为本实用新型用于硅基异质结太阳电池的工序间倒片平台的结构示意图;
图2为图1的右视图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北汉盛光电科技有限公司,未经河北汉盛光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820055009.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造