[实用新型]薄膜晶体管和场效应二极管

说明书

本实用新型提供了一种薄膜晶体管和场效应二极管，所述薄膜晶体管包括绝缘层；位于所述绝缘层的相对两侧的闭合圆环形的沟道层和闭合圆环形的栅电极；以及与所述沟道层相接触的闭合圆环形的源电极和闭合圆环形的漏电极；所述场效应二极管包括绝缘层；位于所述绝缘层的相对两侧的闭合圆环形的沟道层和闭合圆环形的栅电极；以及与所述沟道层相接触的闭合圆环形的源电极和闭合圆环形的漏电极；所述漏电极与所述栅电极电连接。本实用新型的薄膜晶体管和场效应二极管的电极形状呈闭合圆环形，其电场沿各个方向更加均匀分布，消除了电场强度的尖峰，从而提高了电压耐受能力。

技术领域

本实用新型涉及电子器件领域，具体涉及一种薄膜晶体管和场效应二极管。

背景技术

高压薄膜晶体管和高压二极管是高压能量管理系统中的两种核心元器件，它们的发展一直受到学术界和产业界的广泛关注。在高压薄膜晶体和高压二极管管中，电极的尺寸和形状影响着器件中电场强度的大小和分布，从而影响着器件的电压工作范围。

目前的高压薄膜晶体管和高压二极管的电极形状为方形，研究结果表明，这种方形电极的边缘存在电场尖峰，会大大降低器件的耐压性能。

实用新型内容

针对现有技术存在的上述技术问题，本实用新型的实施例提供一种薄膜晶体管，包括：

绝缘层；

位于所述绝缘层的相对两侧的闭合圆环形的沟道层和闭合圆环形的栅电极；以及

与所述沟道层相接触的闭合圆环形的源电极和闭合圆环形的漏电极。

优选的，所述薄膜晶体管还包括用于支撑所述栅电极的衬底，所述绝缘层位于所述栅电极上，所述沟道层位于所述绝缘层上，所述源电极和漏电极位于所述沟道层上。

优选的，所述源电极位于所述沟道层的内侧边缘上，所述漏电极位于所述沟道层的外侧边缘上，且所述源电极位于所述漏电极的内部；

其中，所述薄膜晶体管还包括：

与所述栅电极电连接的栅电极连接电极；

与所述源电极电连接的源电极连接电极；

与所述漏电极电连接的漏电极连接电极；

位于所述漏电极的一部分和源电极连接电极之间的第一绝缘块；以及

位于所述漏电极的一部分和栅电极连接电极之间的第二绝缘块。

优选的，所述源电极位于所述沟道层的外侧边缘上，所述漏电极位于所述沟道层的内侧边缘上，所述漏电极位于所述源电极的内部；

其中，所述薄膜晶体管还包括：

与所述栅电极电连接的栅电极连接电极；

与所述源电极电连接的源电极连接电极；

与所述漏电极电连接的漏电极连接电极；

以及位于所述漏电极连接电极和所述源电极、栅电极的一部分之间的绝缘块。

优选的，所述薄膜晶体管还包括用于支撑所述漏电极、源电极和沟道层的衬底，所述绝缘层位于所述沟道层上，所述栅电极位于所述漏电极和源电极之间的绝缘层上。

优选的，所述沟道层的内侧边缘位于所述源电极上，其外侧边缘位于所述漏电极上，所述源电极位于所述漏电极的内部；

其中，所述薄膜晶体管还包括：

与所述漏电极电连接的漏电极连接电极；

与所述源电极电连接的源电极连接电极；

与所述栅电极电连接的栅电极连接电极；