[实用新型]一种用于替代齐纳管的稳压电路

权利要求书

1.一种用于替代齐纳管的稳压电路，其特征在于：包括比较器、分压电阻网络、泄放通路和信号选择开关；所述比较器由第一PMOS管（MP1）、第二PMOS管（MP2），第一NMOS管（MN1），第二NMOS管（MN2）和电阻（R0）组成；所述分压电阻网络由第一电阻（R1），第二电阻（R2）和第三电阻（R3）组成；所述泄放通路包括第三PMOS管（MP3）和第三NMOS管（MN3）；所述信号选择开关有第四NMOS管（MN4）、第五NMOS管（MN5）和反向器（INV）；

所述第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)构成电流镜，第一PMOS管(MP1)的栅极和漏极互连并连接第二PMOS管(MP2)的栅极和第一NMOS管（MN1）的漏极，第一PMOS管 (MP1)、第二PMOS管(MP2)和第三PMOS管(MP3)的源极相连，第二PMOS管(MP2)的漏极连接第二NMOS管（MN2）的漏极和第三NMOS管（MN3）的栅极；

所述第三PMOS管（MP3）的栅极接地，漏极和第三NMOS管（MN3）的漏极相连；所述第三NMOS管（MN3）的源极接地；所述第一NMOS管（MN1）和第二NMOS管（MN2）的源极通过电阻（R0）接地；所述第二NMOS管（MN2）的栅极与第四NMOS管MN4和第五NMOS管MN5的源端连接；所述第一PMOS管（MP1）的源极直接接电源，第二电阻(R2) 和第三电阻（R3）的串联点接第一NMOS管（MN1）的栅极；

所述第四NMOS管（MN4）的漏极接第一电阻(R1) 和第二电阻（R2）的串联点，栅极接控制信号（UVLO）；所述第五NMOS管（MN5）的漏极接参考电压（VREF），栅极接反相器（INV）的输出端；

所述第一PMOS管（MP1）的源极接内部电源电压（VDD）。