[实用新型]一种节能高效型黑硅生产装置

说明书

本实用新型公开了一种节能高效型黑硅生产装置，包括喷雾室和喷雾发生装置，所述喷雾室的两侧均设置有一个喷雾发生装置，分别为第一喷雾发生装置和第二喷雾发生装置，所述第一喷雾发生装置和第二喷雾发生装置上端的喷雾口均通过喷雾管连接有喷雾总管，所述喷雾总管的一侧间隔均匀的设置有若干喷雾头，所述第一喷雾发生装置和第二喷雾发生装置处喷雾总管通过连接管相连通；采用两步法刻蚀黑硅，并且将硝酸银和氢氟酸、过氧化氢混合液雾化，采用喷雾的形式对黑硅进行处理，能够节省硝酸银、氢氟酸和过氧化氢的用量；并且喷雾室内设置有多个放置板，每个放置板内设置多个放置槽，能够一次性完成多个黑硅的处理，大大提高生产的效率。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体制造技术领域，特别涉及一种节能高效型黑硅生产装置。

背景技术

黑硅是一种具备纳米陷光结构的新型半导体光电材料,由于其在可见——红外波段反射率极低,能够有效的提高电池片的转化效率,因而可以用于太阳能电池制造，制备黑硅太阳能电池。制备黑硅太阳能电池的技术很多，1998年，美国哈佛大学EricMazur教授的飞秒激光法实验中，通过用超强和超短时间激光束(飞秒激光器)对硅片进行扫描，使硅片表面形成了一种森林状的纳米尺度的锥状表面，但是这种激光器制备黑硅绒面的方法成本高，难以满足大规模生产太阳能电池的需要。除此以外其他黑硅制备工艺主要包括光刻胶微掩膜法、纳米球光刻法、电子束光刻法(EBL)、聚焦离子束法(FIB)和激光刻蚀法等。前两种工艺需要刻蚀掩膜，增加了工艺成本和复杂性，且在微米尺度结构表面制作掩膜依然是一大技术难题，更为重要的是利用它们在微米尺度结构上制作纳米尺度黑硅结构时，会刻蚀去除大量微米尺度结构，从而导致微米尺度结构失效，甚至消失。

金属辅助化学刻蚀法由于所需设备简单、成本低、易于整合到目前太阳能电池生产工序中而备受人们青睐。目前主流的金属辅助催化刻蚀技术分为全液相一步法和两步法。全液相一步法制黑硅简化了步骤和设备，但是反应过程会消耗大量的重金属Ag，残留过多的金属粒子会增加后续清洗工作的负担，且清洗不干净将会导致表面成为载流子复合中心，电池片效率下降。两步法刻蚀制黑硅(TSM)是指将清洗完硅片先放到硝酸银(催化剂)溶液中反应一定时间,再放入适当体积比的氢氟酸(刻蚀剂)和过氧化氢(氧化剂)混合溶液中反应一段时间,制备出具有纳米陷光的绒面结构,即黑硅结构。后者虽然一定程度上解决了Ag带来的成本问题，也更适用于工业化生产，但这种用两步法刻蚀制备黑硅绒面的设备都采用传统的全液相腐蚀，对硝酸银，氢氟酸，过氧化氢需求量仍然很大，造成硝酸银，氢氟酸，过氧化氢资源的浪费，而且效率低下。

实用新型内容

本实用新型提出了一种节能高效型黑硅生产装置，解决了现有技术中的黑硅生产装置采用传统的全液相腐蚀，对硝酸银，氢氟酸，过氧化氢需求量仍然很大，造成硝酸银，氢氟酸，过氧化氢资源的浪费，而且效率低下的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案：

本实用新型一种节能高效型黑硅生产装置，包括喷雾室和喷雾发生装置，所述喷雾室内侧壁的两端均设置有若干组滑槽，所述滑槽内滑动设置有放置板，所述放置板的上端设置有多个放置槽，所述放置槽的四个边角处均设置有垫块，所述喷雾室的两侧均设置有一个喷雾发生装置，分别为第一喷雾发生装置和第二喷雾发生装置，所述第一喷雾发生装置和第二喷雾发生装置上端的喷雾口均通过喷雾管连接有喷雾总管，所述喷雾总管设置于喷雾室的内侧壁中，且所述喷雾总管的一侧间隔均匀的设置有若干喷雾头，所述喷雾头贯穿喷雾室的侧壁设置于喷雾室的内部，所述第一喷雾发生装置和第二喷雾发生装置处喷雾总管通过连接管相连通，所述喷雾室的顶端设置有吹风机，所述吹风机的输出端通过输风管连通连接管，所述喷雾室的底端设置有抽风机，所述抽风机的输入端连接抽风口，所述抽风机的输出端通过输气管连接有第一回收箱，且所述输气管连接有输气支管，所述输气支管连接有第二回收箱，所述喷雾室的外侧壁上设置有控制器。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述第一喷雾发生装置和第二喷雾发生装置上喷雾口处的喷雾管上均设置有控制阀，分别为第一控制阀和第二控制阀。