[实用新型]一种单晶提升炉密封装置

说明书

本实用新型公开了一种单晶提升炉密封装置，它包括：阀座组件，所述阀座组件包括阀座本体、开设于所述阀座本体内的内孔道以及一体设置于所述阀座本体端部的容置环体；阀盖组件，所述阀盖组件包括设置于所述容置环体一侧的阀板、设置于所述阀板表面上且与所述容置环体相配合的卡接环体、安装在所述卡接环体上且与所述限位孔相配合的多个螺栓、设置于所述阀板表面上且与所述内孔道相配合的顶针以及开设于所述阀板表面上且与所述容置环体相配合的卡接槽。这样能够保证内孔道与顶针的密封配合，不会出现惰性气体泄漏的现象，有利于保证单晶提升炉产品的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及一种密封装置，具体涉及一种单晶提升炉密封装置。

背景技术

单晶炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将晶体材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。其中生产出的钽酸锂晶体是一种重要的具有多功能压电、铁电和电光、声光、非线性、光折变及激光活性等特点的晶体材料，是一种光学性能多、综合指标好的人工晶体。伴随着激光技术的迅猛发展，钽酸锂晶体在电光调制器、二次谐波发生器、Q开关、声表面滤波器及集成光学等方面得到了广泛的应用。现有的单晶炉是直接采用密封螺母进行密封，放气时直接将螺母旋下进行放气，这种放气装置容易发生惰性气体的泄漏，影响惰性气体的质量。

发明内容

本实用新型的目的是为了克服现有技术的不足而提供一种单晶提升炉密封装置。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：一种单晶提升炉密封装置，它包括：

阀座组件，所述阀座组件包括阀座本体、开设于所述阀座本体内的内孔道以及一体设置于所述阀座本体端部的容置环体，所述容置环体具有与所述内孔道相连通的容置腔，所述阀座本体外壁上开设有多个限位孔；

阀盖组件，所述阀盖组件包括设置于所述容置环体一侧的阀板、设置于所述阀板表面上且与所述容置环体相配合的卡接环体、安装在所述卡接环体上且与所述限位孔相配合的多个螺栓、设置于所述阀板表面上且与所述内孔道相配合的顶针以及开设于所述阀板表面上且与所述容置环体相配合的卡接槽。

优化地，所述容置腔的内径大于所述内孔道的内径，所述容置腔和所述内孔道的连通处形成阶梯部；所述阀盖组件还包括套设于所述顶针上且与所述阶梯部相配合的密封圈。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：本实用新型单晶提升炉密封装置，通过采用特定结构的阀座组件和阀盖组件进行配合，这样能够保证内孔道与顶针的密封配合，不会出现惰性气体泄漏的现象，有利于保证单晶提升炉产品的稳定性。

附图说明

图1为本实用新型单晶提升炉密封装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图所示的实施例对本实用新型作以下详细描述：

如图1所示的单晶提升炉密封装置，主要包括阀座组件1和阀盖组件2等。

其中，阀座组件1包括阀座本体11、开设在阀座本体11内的内孔道12以及一体设置在阀座本体11端部的容置环体13，容置环体13具有与内孔道12相连通的容置腔14，阀座本体11外壁上开设有多个限位孔15。阀盖组件2包括设置在容置环体13一侧的阀板21、设置在阀板21表面上且与容置环体13相配合的卡接环体25（卡接环体25套在容置环体13的外表面）、安装在卡接环体25上且与限位孔15相配合的多个螺栓26、设置在阀板21表面上且与内孔道12相配合的顶针22以及开设在阀板21表面上且与容置环体13相配合的卡接槽24。

在本实施例中，容置腔14的内径大于内孔道12的内径，使得容置腔14和内孔道12的连通处形成阶梯部141；阀盖组件2还包括套设在顶针22上且与阶梯部141相配合的密封圈23，以进一步提高单晶提升炉密封装置的密封性。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。