[实用新型]一种片式薄膜电阻器的温度测试装置有效

专利信息
申请号: 201820020085.3 申请日: 2018-01-06
公开(公告)号: CN207637565U 公开(公告)日: 2018-07-20
发明(设计)人: 范广震 申请(专利权)人: 深圳市吉利通电子有限公司
主分类号: H01C7/00 分类号: H01C7/00;G01K7/16
代理公司: 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 代理人: 梁永昌
地址: 518101 广东省深圳市宝安区福永*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 薄膜电阻 陶瓷基板 保护层 温度测试装置 外部电极 电阻体 指示灯 片式薄膜电阻器 指示灯安装 检测结果 两端设置 内电极 薄膜电阻器 本实用新型 使用寿命 温度传感 中间设置 侧电极 固定座 反馈 检测
【权利要求书】:

1.一种片式薄膜电阻器的温度测试装置,其特征在于:包括薄膜电阻、外部电极、保护层和标记,所述薄膜电阻的两端设置有所述外部电极,所述外部电极的中间设置有陶瓷基板,所述陶瓷基板内设置有温度传感,所述陶瓷基板的上面设置有内电极,所述陶瓷基板的两端设置有侧电极,所述内电极上设置有电阻体,所述电阻体上设置有所述保护层,所述保护层上设置有所述标记,所述保护层和所述电阻体之间设置有指示灯安装槽,所述指示灯安装槽内安装有指示灯固定座,所述指示灯固定座上安装有指示灯,所述指示灯安装槽的上方设置有透明端盖,所述电阻体和所述保护层之间设置有控制电路板和电池,所述电阻体上设置有激光切割槽。

2.根据权利要求1所述的一种片式薄膜电阻器的温度测试装置,其特征在于:所述薄膜电阻的膜厚小于10μm,所述薄膜电阻采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法加工而成。

3.根据权利要求1所述的一种片式薄膜电阻器的温度测试装置,其特征在于:所述薄膜电阻的精度可以达到0.01%万分之一。

4.根据权利要求1所述的一种片式薄膜电阻器的温度测试装置,其特征在于:所述外部电极、所述内电极和所述侧电极通过真空蒸发的方法蒸镀在所述陶瓷基板上。

5.根据权利要求1所述的一种片式薄膜电阻器的温度测试装置,其特征在于:所述侧电极和所述电阻体为镍铬合金,所述内电极为银钯合金,所述外部电极为镍锡合金。

6.根据权利要求1所述的一种片式薄膜电阻器的温度测试装置,其特征在于:所述指示灯和所述温度传感器与所述电池之间电连接,所述电阻体上的所述激光切割槽设置有多条。

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