[发明专利]半导体器件及制作方法

说明书

本申请提供的半导体器件及制作方法。所述半导体器件包括：设置在衬底上的第一半导体层；设置在第一半导体层远离衬底一侧的第二半导体层；设置在所述半导体层远离所述衬底一侧的至少两个电极，其中任意相邻的两个电极分别为第一电极和第二电极；设置在所述第一电极一侧的复合结构，且所述复合结构和第一电极连接形成复合电极；所述复合结构包括第三半导体层和位于第三半导体层远离衬底一侧的第四半导体层；所述第四半导体层的电极性与所述的第二半导体层的电极性相反。通过复合结构和第一电极之间电连接形成复合漏电极，可以有效地提高器件的性能。

技术领域

本申请涉及半导体及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及制作方法。

背景技术

广泛应用于电子装备的高电子迁移率器件要求半导体器件的可靠性能很高，特别是研究高温、高频、高压和大功率的器件可靠性，已经成为了目前半导体器件领域的研究热点之一，半导体器件高可靠性能的研究也是保证应用装备高效且稳定运行的基础。如氮化镓高电子迁移率器件，作为第三代宽禁带半导体材料器件，其优越的性能已经获得了应用端的认可和青睐。但是由于半导体层内缺陷，很容易俘获缺陷附近的电子，导致器件关态至开态过程发生电流崩塌负面效应，以及当电子被俘获-释放过程，也进一步增加了漏电流，严重的影响了器件的可靠性问题。

现有技术中，常采用半导体表面钝化技术和场板技术用于减少材料表面的表面态浓度，但无法抑制有半导体内的缺陷引起的器件性能问题。

因此，如何进一步消除半导体内的电子(非二维电子气)，防止半导体内缺陷俘获电子与释放电子的周期发生，进一步提高半导体的性能，是需要亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种半导体器件，以及用于制作该半导体器件的方法，以解决上述问题。

第一方面，本申请实施例提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：

本申请提供的半导体器件及制作方法，通过在所述第一电极一侧设置复合结构，且设置所述复合结构和第一电极连接形成复合电极；再通过设置所述复合结构包括第三半导体层和位于第三半导体层远离衬底一侧的第四半导体层；所述第四半导体层的电极性与所述的第二半导体层的电极性相反。实现当器件沟道处于关闭状态时，在施加高电压的情况下，复合结构将大量的空穴注入到半导体层内，进行复合半导体层内未被耗尽的电子，进一步提高器件的性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例一提供的第一种半导体器件的结构示意图；

图2为本申请实施例二提供的第二种半导体器件的结构示意图；

图3为本申请实施例三提供的第三种半导体器件的结构示意图；

图4为本申请实施例四提供的第四种半导体器件的结构示意图；

图5为本申请实施例五提供的第五种半导体器件的结构示意图；

图6为本申请实施例六提供的第六种半导体器件的结构示意图；

图7为本申请实施例一提供的半导体器件的制程流程图。

图8A-图8I为本请实施例一提供的半导体器件的制程图；

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。