[发明专利]一种可编程宽范围输出不对称半桥结构的直流稳压电源在审
申请号: | 201811652804.4 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN109861542A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 许振伟 | 申请(专利权)人: | 浙江机电职业技术学院 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M1/44;H02H7/12 |
代理公司: | 杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230 | 代理人: | 汪爱平 |
地址: | 310000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 不对称 功率变换电路 半桥 处理器 反馈控制电路 过流保护电路 过压保护电路 输出端 直流稳压电源 输入端连接 半桥结构 可编程 技术方案要点 输出端连接 高稳定性 输出直流 稳压电源 输出 高效能 检测端 检测 市电 电源 外部 | ||
本发明公开了一种可编程宽范围输出不对称半桥结构的直流稳压电源,其技术方案要点是包括处理器、不对称半桥功率变换电路、过压保护电路、过流保护电路和反馈控制电路,所述处理器对不对称半桥功率变换电路进行控制,不对称半桥功率变换电路输入外部市电,输出直流稳压电源,所述过压保护电路和过流保护电路分别对不对称半桥功率变换电路的输出端进行检测,且过压保护电路和过流保护电路的检测输出端与处理器的输入端连接,反馈控制电路的检测端与不对称半桥功率变换电路的输出端连接,反馈控制电路的输出端与处理器的输入端连接。本发明的电源高效能、高精度、高稳定性。
技术领域
本发明涉及一种稳压电源处理,更具体的说,它涉及一种可编程宽范围输出不对称半桥结构的直流稳压电源。
背景技术
普通半桥电路,上下桥臂开关信号是对称的,依靠占空比调节输出电压,最大占空比一般小于0.5,两个开关开通信号之间有比较的死区,漏感能量被缓冲电路消耗,很难实现软开关。不对称半桥电路,两个开关管的驱动信号不是对称的,而是互补的,容易实现软开关。但是普通不对称半桥电路的电压调节能力比较差,不适于电压范围需要宽范围调节的场合。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本发明的目的在于提供一种高效能、高精度、高稳定性的可编程宽范围输出不对称半桥结构的直流稳压电源。
为实现上述目的,本发明提供了如下技术方案:一种可编程宽范围输出不对称半桥结构的直流稳压电源,包括处理器、不对称半桥功率变换电路、过压保护电路、过流保护电路和反馈控制电路,所述处理器对不对称半桥功率变换电路进行控制,不对称半桥功率变换电路输入外部市电,输出直流稳压电源,所述过压保护电路和过流保护电路分别对不对称半桥功率变换电路的输出端进行检测,且过压保护电路和过流保护电路的检测输出端与处理器的输入端连接,反馈控制电路的检测端与不对称半桥功率变换电路的输出端连接,反馈控制电路的输出端与处理器的输入端连接。
本发明进一步设置为:所述处理器为STM32F103微控制器。
本发明进一步设置为:所述不对称半桥功率变换电路包括PWM控制器、隔离驱动芯片、MOS管一、MOS管二、变压器和桥式整流器,PWM控制器的输入端与处理器的输出端连接,PWM控制器的输出端与隔离驱动芯片的输入端连接,隔离驱动芯片的输出端分别连接MOS管一和MOS管二的控制端,外部电源依次连接MOS管一和MOS管二后接地,变压器的输入端并联在MOS管一的两端,桥式整流器的输入端与变压器的输出端连接,桥式整流器的输出端输出端直流稳压电源。
本发明进一步设置为:所述MOS管一和MOS管二的输入端、输出端之间均并联有二极管和电容。
本发明进一步设置为:所述过压保护电路包括运放一,处理器的输出端连接运放一的负极端、运放一的正极端连接不对称半桥功率变换电路的输出端,运放一的输出端连接处理器的输入端。
本发明进一步设置为:所述过流保护电路包括运放二,处理器的输出端连接运放二的正极端、运放二的负极端连接不对称半桥功率变换电路的输出端,运放二的输出端连接处理器的输入端。
本发明进一步设置为:所述反馈控制电路包括运放三,处理器的输出端与运放三的正极端连接,运放三的输出端与负极端串联,运放三的输出端与处理器的输入端连接。
本发明进一步设置为:所述运放一、运放二和运放三均为IF353功率运算放大器。
本发明进一步设置为:所述MOS管一和MOS管二均为IRFP460型MOSFET。
本发明进一步设置为:所述PWM控制器为电流型PWM控制器SG3525控制器,隔离驱动芯片为IR2113驱动芯片。
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