[发明专利]一种量子点固态膜及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点固态膜，其特征在于，所述量子点固态膜包括表面结合有硫羧酸的第一量子点和表面结合有巯基胺的第二量子点，所述第一量子点表面的硫羧酸和第二量子点表面的巯基胺通过所述硫羧酸中的羧酸根离子与巯基胺中的铵根离子结合。

2.根据权利要求1所述的量子点固态膜，其特征在于，所述硫羧酸的化学结构通式为HS-(CH₂)_n-COOH，其中n为大于等于1且小于等于11的整数。

3.根据权利要求1所述的量子点固态膜，其特征在于，所述巯基胺的化学结构通式为HS-(CH₂)_m-NH₂，其中m为大于等于1且小于等于11的整数。

4.根据权利要求1所述的量子点固态膜，其特征在于，所述第一量子点和第二量子点独立的选自二元相量子点、三元相量子点和四元相量子点中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的量子点固态膜，其特征在于，所述第一量子点和第二量子点为组成元素相同的量子点；和/或，所述第一量子点选自CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS、 ZnCdS、CuInS、ZnCdSe、ZnSeS、ZnCdTe、PbSeS、 ZnCdS/ZnSe、CuInS/ZnS、ZnCdSe/ZnS、CuInSeS、ZnCdTe/ZnS和 PbSeS/ZnS中的一种或多种；和/或，所述第二量子点选自CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS、 ZnCdS、CuInS、ZnCdSe、ZnSeS、ZnCdTe、PbSeS、 ZnCdS/ZnSe、CuInS/ZnS、ZnCdSe/ZnS、CuInSeS、ZnCdTe/ZnS和 PbSeS/ZnS中的一种或多种。

6.一种量子点固态膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供表面结合有硫羧酸的第一量子点和表面结合有巯基胺的第二量子点；

将所述第一量子点和第二量子点分散在极性溶剂中，形成混合量子点溶液；

将所述混合量子点溶液沉积在基板上，在第一温度条件下加热制得所述量子点固态膜。

7.根据权利要求6所述量子点固态膜的制备方法，其特征在于，在第一温度条件下加热，使所述第一量子点表面的硫羧酸和第二量子点表面的巯基胺通过所述硫羧酸中的羧酸根离子和巯基胺中的铵根离子结合，制得所述量子点固态膜。

8.根据权利要求6所述量子点固态膜的制备方法，其特征在于，所述第一温度为30-100℃。

9.根据权利要求6所述量子点固态膜的制备方法，其特征在于，所述极性溶剂选自乙醇、甲醇和水中的一种或多种。

10.根据权利要求6所述量子点固态膜的制备方法，其特征在于，按照第一量子点与第二量子点的质量比为1：（0.8-1.2）的比例将所述第一量子点和第二量子点分散在极性溶剂中，形成混合量子点溶液。