[发明专利]基因测序芯片微坑表面修饰方法

权利要求书

1.基因测序芯片微坑表面修饰的方法，包括以下步骤：获得微坑外表面带有金属镀层的微坑基片；用第一化合物修饰微坑的内表面；去除外表面的金属层；用微接触印刷的方法在外表面修饰第二化合物；得到微坑内外表面区分修饰的基片；其中所述外表面带有金属镀层的微坑基片的微坑内表面没有金属镀层；其中所述金属为铝、铬、镍、钛，或者其组合；其中所述金属镀层的厚度为50-150nm；所述第一化合物与第二化合物的亲疏水性质不相同。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，微坑的内表面可以用浸泡或者CVD修饰的方法进行化学修饰。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，微坑是圆柱形、圆台形、类圆台形、类六方柱结构，或者其组合。

4.基因测序芯片微坑表面修饰的方法，包括以下步骤：获得外表面带有金属镀层的微坑基片；基片的表面覆盖一层光刻胶；在基片的背面对光刻胶进行曝光，显影，去除未被金属遮蔽的光刻胶；修饰微坑的内部；去除金属和残留的光刻胶，用微接触印刷的方法修饰微坑的外表面，得到微坑内外表面区分修饰的基片；其中，所述基片是透明的；其中所述金属为铝、铬、镍、钛，或者其组合；所述光刻胶为正性光刻胶，微坑的内部填满光刻胶，外部仅存在薄层光刻胶；其中所述外部光刻胶的厚度为0.1-1微米；所述金属镀层的厚度为50-150nm；其中，所述基片微坑的内表面亲水修饰，微坑的外表面疏水修饰，所述微坑的开口直径为0.3-5微米，微坑的深度为0.3-5微米，微坑的周期为0.6-8微米。