[发明专利]半导体芯片、半导体晶圆及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体芯片，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括相对的第一侧面及第二侧面；

设置于所述第一侧面的所述半导体芯片的源极；

设置在所述基底上的通孔，所述通孔的设置位置与所述源极的位置对应，所述通孔从所述第二侧面贯穿至所述第一侧面；

基于所述第二侧面形成、并通过所述通孔与所述源极电性接触的种子金属层；

基于所述种子金属层形成的背面金属层，该背面金属层覆盖所述种子金属层的一部分；

至少覆盖于未被所述背面金属层所覆盖的种子金属层边缘的保护材料层；

其中，所述种子金属层包括至少两个不同的金属材料层；

所述至少两个不同的金属材料层在所述第二侧面上形成一底切结构；

所述保护材料层至少覆盖于形成所述底切结构的金属材料层中、最远离所述第二侧面的金属材料层的边缘。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述保护材料层至少覆盖所述种子金属层未被所述背面金属层所覆盖部分。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述保护材料层的一部分填充于所述底切结构、并与形成所述底切结构的金属材料层中最远离所述第二侧面的金属材料层接触。

4.根据权利要求2所述的半导体芯片，其特征在于，所述保护材料层还覆盖所述背面金属层的侧面，所述侧面为背面金属层靠近种子金属层的表面和远离所述种子金属层的表面之间形成的侧面。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片，其特征在于，所述保护材料层还覆盖所述背面金属层的远离所述种子金属层的部分表面。

6.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述保护材料层由高导热材料形成。

7.一种半导体晶圆，其特征在于，包括多个权利要求1-6任意一项所述半导体芯片。

8.根据权利要求7所述的半导体晶圆，其特征在于，不同的所述半导体芯片的种子金属层通过划片道相互间隔。

9.一种半导体晶圆的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底，所述基底包括第一侧面及与所述第一侧面相对的第二侧面；

在所述基底第一侧面上形成多个半导体芯片的源极；

在所述基底分别与所述多个半导体芯片的源极对应的位置上制作形成多个贯穿所述基底的通孔；

基于所述第二侧面形成通过所述通孔与所述源极电性接触的种子金属层；

基于所述种子金属层形成覆盖所述种子金属层的一部分的背面金属层；

对种子金属层进行刻蚀，使相邻两个半导体芯片之间形成划片道；

至少在所述种子金属层未被所述背面金属层覆盖部分的边缘形成保护材料层；

所述基于所述第二侧面形成通过所述通孔与所述源极电性接触的种子金属层，包括：

基于所述第二侧面依次形成至少两个不同的金属材料层；

其中，所述至少两个不同的金属材料层共同形成所述种子金属层，所述至少两个不同的金属材料层在所述第二侧面上形成一底切结构；所述保护材料层至少覆盖于形成所述底切结构的金属材料层中、最远离所述第二侧面的金属材料层的边缘。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

基于所述第一侧面形成所述半导体芯片的其他部分；

在所述基底制作有所述源极的一侧贴附基底支撑片。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述保护材料层的一部分填充于所述底切结构、并与形成所述底切结构的金属材料层中最远离所述第二侧面的金属材料层接触。