[发明专利]一种麦克风在审
申请号: | 201811643502.0 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN109451383A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 缪建民;钟华 | 申请(专利权)人: | 华景科技无锡有限公司 |
主分类号: | H04R1/08 | 分类号: | H04R1/08 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 213135 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 麦克风芯片 麦克风 垫高件 保护壳 密闭空腔 灵敏度 电连接 信噪比 空腔 | ||
本发明实施例公开了一种麦克风。该麦克风包括:基座、麦克风芯片、ASIC芯片和保护壳;述麦克风芯片和所述ASIC芯片设置于所述基座与所述保护壳形成的空腔内,且所述麦克风芯片和所述ASIC芯片固定在所述基座上,所述麦克风芯片和所述ASIC芯片之间电连接;所述麦克风芯片和所述基座之间设置有垫高件,所述垫高件具有凹槽,使所述麦克风芯片、所述基座和所述垫高件之间形成密闭空腔。本发明实施例的方案提升了麦克风的灵敏度和信噪比。
技术领域
本发明实施例涉及麦克风技术,尤其涉及一种麦克风。
背景技术
随着无线通讯的发展,全球移动电话用户越来越多。人们对通话质量的要求越来越高。目前应用较多的是微电机系统麦克风(micro electro mechanicalsystemmicrophone,MEMS)。
MEMS硅麦克风采用电容式的原理,由振膜和的背极板形成电容结构,当振膜感受到外部的音频声压信号后,振膜与背极板之间的距离改变,改变电容容量以及电压,再通过后续CMOS放大器将电容变化转化为电压信号的变化并进行输出。
然而,现有技术麦克风的灵敏度和信噪比有待提高。
发明内容
本发明提供一种麦克风,以提高麦克风的灵敏度和信噪比。
本发明实施例提供了一种麦克风,包括:
基座、麦克风芯片、ASIC芯片和保护壳;
所述麦克风芯片和所述ASIC芯片设置于所述基座与所述保护壳形成的空腔内,且所述麦克风芯片和所述ASIC芯片固定在所述基座上,所述麦克风芯片和所述ASIC芯片之间电连接;
所述麦克风芯片和所述基座之间设置有垫高件,所述垫高件具有凹槽,使所述麦克风芯片、所述基座和所述垫高件之间形成密闭空腔。
可选的,所述垫高件包括第一表面,所述麦克风芯固定于所述第一表面,所述麦克风芯片包括振膜,所述第一表面与所述振膜的振动区域对应的区域设置有第一子凹槽,所述第一子凹槽贯穿所述垫高件;
所述垫高件邻近所述基座的第二表面上还设置有第二子凹槽,所述第二子凹槽环绕所述第一子凹槽,且与所述第一子凹槽连通;
所述凹槽包括所述第一子凹槽和所述第二子凹槽。
可选的,所述垫高件包括凸起部,所述凸起部包括至少一个凸起,所述凸起部环绕所述麦克风芯片;
沿垂直于所述基座的方向,所述凸起远离所述基座的表面与所述基座的距离为第一距离,所述麦克风芯片邻近所述基座的表面与所述基座的距离为第二距离,所述第一距离大于所述第二距离;
在所述凸起处,所述第二表面上还设置有第三子凹槽,所述第三子凹槽环绕所述第二子凹槽,且与所述第二子凹槽连通;
所述凹槽还包括所述第三子凹槽。
可选的,所述第三子凹槽的深度大于所述第二距离。
可选的,所述垫高件还包括延伸部,所述延伸部环绕所述凸起部;
沿垂直于所述基座的方向,所述延伸部的厚度小于所述第二距离。
可选的,所述垫高件采用金属材料。
可选的,所述麦克风芯片通过硅胶固定于所述垫高件。
可选的,所述保护壳远离所述基座的表面设置有进声孔,所述保护壳采用金属材料。
可选的,所述麦克风芯片还包括背极板;
所述背极板设置于所述振膜邻近所述基座的一侧。
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