[发明专利]一种提纯液晶的方法

说明书

本发明涉及液晶提纯技术领域，特别涉及一种提纯液晶的方法，包括以下步骤：将作为原料的聚合胺改性硅胶与待处理的液晶混合，吸附，得到提纯的液晶材料。

技术领域

本发明涉及液晶提纯技术领域，特别涉及一种提纯液晶的方法。

背景技术

对于液晶材料而言，离子含量的高低直接决定了显示面板的显示效果。对于目前市场上广泛应用的TFT-LCD来说，高电阻率、极低离子含量的混合液晶材料是显示的必然要求。因此，如何尽可能地除去液晶材料中的离子，提高液晶材料的纯度，得到高品质液晶材料，这一问题的解决对提高液晶材料的性能尤为重要。

发明内容

本发明提供了一种提纯液晶的方法，包括以下步骤：将作为原料的聚合胺改性硅胶与待处理的液晶混合，吸附，得到提纯的液晶材料。

根据本发明的一个实施方式，作为原料的所述聚合胺改性硅胶的质量为所述待处理的液晶的质量的0.1-3％。

根据本发明的一个实施方式，所述吸附方法为搅拌吸附或柱层析吸附。

根据本发明的一个实施方式，所述吸附方法为搅拌吸附，搅拌的温度为10-50℃，时间为0.5-4小时。

根据本发明的一个实施方式，对作为原料的所述聚合胺改性硅胶进行如下所述的预处理：将作为原料的所述聚合胺改性硅胶洗涤并干燥。

根据本发明的一个实施方式，所述聚合胺改性硅胶由聚合胺、偶联剂和硅胶形成，所述聚合胺、偶联剂、硅胶的重量比为10：(3～5)：(2～5)。

根据本发明的一个实施方式，所述聚合胺的重均分子量小于1000。

根据本发明的一个实施方式，所述聚合胺选自聚乙烯亚胺或聚烯丙基胺。

根据本发明的一个实施方式，所述偶联剂为硅烷偶联剂，结构式为Y₃-Si-(CH₂)_n-Cl，其中Y表示-Cl、C1～C3的烷基、或者C1～C3的烷氧基，n表示2-6的整数。

根据本发明的一个实施方式，所述硅胶的粒径为60-400目，比表面积为300-550m²/g。

本发明利用聚合胺改性硅胶对液晶进行提纯，能够有效地去除液晶中的离子，提高其电阻率；所得到的液晶材料具有低离子浓度、高电阻率的特点，可广泛应用于各种液晶显示领域。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合实施例，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。

本发明提供了一种提纯液晶的方法，包括以下步骤：将作为原料的聚合胺改性硅胶与待处理的液晶混合，吸附，得到提纯的液晶材料。

根据本发明的一个实施方式，作为原料的所述聚合胺改性硅胶的质量为所述待处理的液晶的质量的0.1-3％。

根据本发明的一个实施方式，所述吸附方法为搅拌吸附或柱层析吸附。

根据本发明的一个实施方式，所述吸附方法为搅拌吸附，搅拌的温度为10-50℃，搅拌时间为0.5-4小时。根据本发明的一个实施方式，搅拌的温度例如为10℃、15℃、20℃、25℃、30℃、40℃、45℃、50℃等。根据本发明的一个实施方式，搅拌时间为0.5小时、1小时、1.5小时、2小时、3小时、4小时等。