[发明专利]一种陶瓷薄膜电路及其溅射金属涂层的形成方法

说明书

本发明提供的一种陶瓷薄膜电路，其包括一基板及一溅射金属涂层，所述基板为纯度99.6％氧化铝的陶瓷基板，所述溅射金属涂层由内至外依次包括一电阻层、一粘附层及一导线层，所述电阻层为纯度99.9％的氮化钽层，所述粘附层为纯度99.9％的钛钨层，所述导线层为纯度99.99％的金层。

技术领域

本发明涉及一种陶瓷薄膜电路，尤其涉及一种陶瓷薄膜电路及其溅射金属涂层的形成方法。

背景技术

陶瓷薄膜电路是一种电阻、电容数值控制准确，数值范围宽、集成度不高的薄膜电路，由于薄膜电路在制造过程中需要进行热压焊接、超声焊接等焊接方式进行组装才形成完整的集成电路，其溅射金属涂层有较高要求的功能性以及粘附性，在此，需要提出一种陶瓷薄膜电路及其溅射金属涂层的形成方法。

发明内容

本发明的目的是提供一种陶瓷薄膜电路及其溅射金属涂层的形成方法，其电阻控制精准，溅射金属涂层的电阻层与陶瓷基板通过预定条件的溅射有较强的粘附力，所述形成方法实现了在陶瓷基板上溅射形成溅射金属涂层。

本发明提供的一种陶瓷薄膜电路，其包括一基板及一溅射金属涂层，所述基板为纯度99.6％氧化铝的陶瓷基板，所述溅射金属涂层由内至外依次包括一电阻层、一粘附层及一导线层，所述电阻层为纯度99.9％的氮化钽层，所述粘附层为纯度99.9％的钛钨层，所述导线层为纯度99.99％的金层。

优选的，所述氮化钽层的厚度为

优选的，所述钛钨层的厚度为

优选的，所述金层的厚度为2.0±0.5(μm)。

优选的，所述粘附层与导线层之间还设有一阻挡层，该阻挡层为纯度99.9％的镍层。

优选的，所述镍层的厚度为1.0±0.3(μm)。

本发明还提供一种陶瓷薄膜电路的溅射金属涂层的形成方法，其包括以下步骤：A：送料清洗，提供一种所需种类尺寸的纯度99.6％氧化铝的陶瓷基板置于溅射机的送样室中，提供纯度为99.9％的钽靶材、纯度为99.9％的钛钨靶材及纯度为99.99％的金靶材置于溅射机的反应室中，采用等离子蚀刻清洗以去除所述陶瓷基板上的污物，清洗时间为60s，清洗结束后将陶瓷基板送至所述溅射机的反应室；B：抽真空预热，调节使所述反应室内真空度小于6.0*10^-4Pa，将反应室内环境温度加热至250℃；C1：电阻层预溅射，设置溅射机功率为200W，向反应室通入流量比例为2：100的氮气及氩气，开启溅射电源进行预溅射，以将所述钽靶材表面的氧化层或其他杂质成分消除；C2：电阻层溅射，开始在所述陶瓷基板上溅射形成氮化钽层，溅射持续时间为240秒；C3：调压，电阻层溅射结束后，将所述反应室内的氮气及氩气抽出，直至反应室内真空度达到步骤B的真空度值；D1：粘附层预溅射，设置溅射机功率为200W，向反应室通入流量为100sccm的氩气，开启溅射电源进行预溅射，以将所述钛钨靶材表面的氧化层或其他杂质成分消除；D2：粘附层溅射，开始在陶瓷基板上溅射形成钛钨层，溅射持续时间为240秒；D3：调压，粘附层溅射结束后，将所述反应室内的氩气抽出，直至反应室内真空度达到步骤B的真空度值；E1：导线层预溅射，设置溅射机功率为200W，向反应室通入流量为100sccm的氩气，开启溅射电源进行预溅射，以将所述金靶材表面的氧化层或其他杂质成分消除；E2：导线层溅射，开始在陶瓷基板上溅射形成金层，溅射持续时间为240秒；F、冷却，抽出反应室内的气体并将溅射好的所述陶瓷基板自然冷却至150℃；

G、取板，所述溅射机的机械手将陶瓷基板移送至送样室中，抽出反应室内的气体，取出所述陶瓷基板。