[发明专利]阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上依次沉积缓冲层和源漏金属层，进行第一道成像光刻工艺，以形成源电极、漏电极和触控线；

沉积多晶硅层，进行第二道成像光刻工艺，以形成导电沟道，所述导电沟道位于所述源电极与所述漏电极之间，并与所述源电极和所述漏电极接触；

依次沉积栅极绝缘层和像素电极层，进行第三道成像光刻工艺，以形成像素电极，并在所述触控线上方的所述栅极绝缘层上形成第一过孔，在所述漏电极上方的所述栅极绝缘层上形成第二过孔；

沉积栅金属层，进行第四道成像光刻工艺，以形成栅极、第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极通过所述第一过孔与所述触控线连接，所述第二连接电极通过所述第二过孔与所述漏电极连接，并在所述导电沟道上形成轻掺杂区和重掺杂区；

沉积平坦层，进行第五道成像光刻工艺，以在所述第一连接电极上方的所述平坦层上形成第三过孔；

沉积公共电极层，进行第六道成像光刻工艺，以形成触控电极和公共电极，所述触控电极通过所述第三过孔与所述第一连接电极连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在基板上依次沉积缓冲层和源漏金属层，进行第一道成像光刻工艺，以形成源电极、漏电极和触控线的步骤，包括：

在基板上依次沉积缓冲层、源漏金属层和第一光刻胶层，采用第一掩膜版对所述第一光刻胶层进行曝光和显影，以形成第一光刻胶图案；

以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述源漏金属层进行刻蚀，以形成源电极、漏电极和触控线，并去除所述第一光刻胶图案。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述沉积多晶硅层，进行第二道成像光刻工艺，以形成导电沟道的步骤包括：

沉积非晶硅层，并对所述非晶硅层进行激光镭射退火，以形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上沉积第二光刻胶层，采用第二掩膜版对所述第二光刻胶层进行曝光和显影，以形成第二光刻胶图案；

以所述第二光刻胶图案为掩膜对所述多晶硅层进行刻蚀，以形成导电沟道，并去除所述第二光刻胶图案。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述依次沉积栅极绝缘层和像素电极层，进行第三道成像光刻工艺，以形成像素电极，并在所述触控线上方的所述栅极绝缘层上形成第一过孔，在所述漏电极上方的所述栅极绝缘层上形成第二过孔的步骤包括：

依次沉积栅极绝缘层、像素电极层和第三光刻胶层，采用第三掩膜版对所述第三光刻胶层进行曝光和显影，以形成第三光刻胶图案；

以所述第三光刻胶图案为掩膜对所述像素电极层和所述栅极绝缘层进行刻蚀，以在所述触控线上方的所述栅极绝缘层上形成第一过孔，在所述漏电极上方的所述栅极绝缘层上形成第二过孔；

采用氧气对所述第三光刻胶图案进行离子轰击，以形成第四光刻胶图案；

以所述第四光刻胶图案为掩膜对所述像素电极层进行刻蚀，以形成像素电极，并去除所述第四光刻胶图案。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述以所述第三光刻胶图案为掩膜对所述像素电极层和所述栅极绝缘层进行刻蚀，以在所述触控线上方的所述栅极绝缘层上形成第一过孔，在所述漏电极上方的所述栅极绝缘层上形成第二过孔的步骤包括：

采用湿刻蚀工艺，以所述第三光刻胶图案为掩膜对所述像素电极层进行刻蚀，以去除所述触控线上方的所述像素电极层，以及去除所述漏电极上方的所述像素电极层；

采用干刻蚀工艺，以所述第三光刻胶图案为掩膜对所述栅极绝缘层进行刻蚀，以去除所述触控线上方的所述栅极绝缘层，以及去除所述漏电极上的所述栅极绝缘层。

6.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第三掩膜版为半色调掩膜版。