[发明专利]半导体芯片的封装方法

说明书

本发明提供一种半导体芯片的封装方法，其包括如下步骤：S1、在接收半导体芯片的框架的封装区域涂覆结合材料；S2、将待封装的半导体芯片粘附在涂覆有结合材料的封装区域；S3、在结合材料未老化前，将半导体芯片及框架形成的封装体固定在超声装置上，在预设的超声频率下，进行超声处理；S4、超声处理后，对封装体进行压焊、模压处理；S5、将封装体进行烘烤处理，使结合材料老化，完成半导体芯片与框架的封装固定。本发明的半导体芯片的封装方法采用超声处理的方式有效去除了结合材料中以及界面间的气泡，不需要高温高压或真空装置，降低设备成本，提高了器件的可靠性，延长了器件的使用寿命。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体芯片的封装方法。

背景技术

在半导体封装领域中，需要将半导体芯片通过结合材料粘附在对应的框架上，以实现半导体芯片的封装固定。然而，在半导体芯片粘附过程中，在结合材料中以及结合材料的粘合界面上容易产生气泡。气泡的存在，在半导体芯片工作时会受热膨胀，进而对半导体芯片产生一定的压力，影响半导体芯片的性能。因此，需要借助一定的手段去除气泡。

现有的手段主要依靠调整粘合材料的组份或者加热的手段。然而，对于调整粘合材料的组份的方式，其成本较高，且仅仅有利于实现粘合材料内部气泡的减少，对于界面间的气泡则无法有效地去除。对于通过加热的方式，设备成本较高。因此，本发明的发明人亟需构思一种新技术以改善其问题。

发明内容

本发明旨在提供一种半导体芯片的封装方法，以克服现有技术中存在的不足。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：

一种半导体芯片的封装方法，其包括如下步骤：

S1、在接收半导体芯片的框架的封装区域涂覆结合材料；

S2、将待封装的半导体芯片粘附在涂覆有结合材料的封装区域；

S3、在结合材料未老化前，将半导体芯片及框架形成的封装体固定在超声装置上，在预设的超声频率下，进行超声处理；

S4、超声处理后，对封装体进行压焊、模压处理；

S5、将封装体进行烘烤处理，使结合材料老化，完成半导体芯片与框架的封装固定。

作为本发明的半导体芯片的封装方法的改进，所述超声频率与超声处理时间的组合为：超声频率为68-200KHZ，超声处理时间为60-120S。

作为本发明的半导体芯片的封装方法的改进，所述超声频率与超声处理时间的优化组合为：超声频率为125-175KHZ，超声处理时间为60-120S。

作为本发明的半导体芯片的封装方法的改进，所述结合材料为加热固化型粘胶。

作为本发明的半导体芯片的封装方法的改进，所述加热固化型粘胶选自环氧类粘胶、三聚氰胺粘胶以及酚醛粘胶中的一种。

作为本发明的半导体芯片的封装方法的改进，所述超声装置包括：震动钢板、安装于所述震动钢板底面的若干超声波换能器以及形成于所述震动钢板顶面的若干固定槽。

作为本发明的半导体芯片的封装方法的改进，所述半导体芯片的封装方法还包括：

提供晶圆，将晶圆通过划片的方式分割为与封装区域相适应的半导体芯片。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明的半导体芯片的封装方法采用超声处理的方式有效去除了结合材料中以及界面间的气泡，不需要高温高压或真空装置，降低设备成本，提高了器件的可靠性，延长了器件的使用寿命。

附图说明