[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阴极和阳极，在所述阴极和所述阳极之间设置的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的叠层，所述叠层包括第一金属氧化物纳米颗粒层以及设置在所述第一金属氧化物纳米颗粒层背离所述量子点发光层表面的混合材料层，所述混合材料层的材料包括第一金属氧化物纳米颗粒和分散在所述第一金属氧化物纳米颗粒间隙中的第二金属氧化物，所述第一金属氧化物纳米颗粒层中的第一金属氧化物纳米颗粒为电子传输材料；所述第二金属氧化物选自铝的氧化物、镁的氧化物、钛的氧化物、铜的氧化物、钙的氧化物和铟的氧化物中的一种或多种；

且所述混合材料层中，沿所述量子点发光层到所述阴极的方向，所述第二金属氧化物的含量逐渐增加。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述混合材料层的材料由第一金属氧化物纳米颗粒与第二金属氧化物组成。

3.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述混合材料层还包括分散在所述第一金属氧化物纳米颗粒间隙中的第二金属。

4.如权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，沿所述量子点发光层到所述阴极的方向，所述第二金属氧化物的含量逐渐增加，第二金属含量逐渐增加。

5.如权利要求3或4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述混合材料层由所述第一金属氧化物纳米颗粒和分散在所述第一金属氧化物纳米颗粒间隙中的第二金属氧化物和第二金属组成。

6.如权利要求3或4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第二金属选自铝、镁、钛、铜、钙和铟中的一种或多种。

7.如权利要求1至4任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，还包括结合在所述叠层的朝向所述阴极表面的第二金属层。

8.如权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第二金属层的厚度为0~5nm；和/或，

所述第二金属层中的第二金属选自铝、镁、钛、铜、钙和铟中的一种或多种。

9.如权利要求1至4任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一金属氧化物纳米颗粒选自ZnO、TiO₂、SnO₂、Ta₂O₃、ZrO₂、NiO、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO和InSnO中的一种或多种。

10.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层、所述叠层与所述阴极层叠结合。

11.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供阳极基板，所述阳极基板表面设置有初始第一金属氧化物纳米颗粒层，所述初始第一金属氧化物纳米颗粒层中的第一金属氧化物纳米颗粒为电子传输材料，其中，所述阳极基板包括基底、层叠设置在所述基底表面的阳极和层叠设置在所述阳极表面的量子点发光层；

在所述初始第一金属氧化物纳米颗粒层上蒸镀初始第二金属层，对蒸镀有所述初始第二金属层的阳极基板进行加热退火处理，在所述阳极基板表面形成一叠层，所述叠层包括第一金属氧化物纳米颗粒层以及设置在所述第一金属氧化物纳米颗粒层背离所述量子点发光层表面的混合材料层，所述混合材料层的材料包括第一金属氧化物纳米颗粒和分散在所述第一金属氧化物纳米颗粒间隙中的第二金属氧化物，所述第一金属氧化物纳米颗粒层中的第一金属氧化物纳米颗粒为电子传输材料；且所述混合材料层中，沿远离所述阳极的方向，所述第二金属氧化物的含量逐渐增加；其中，所述加热退火处理的温度为80℃~140℃，时间为25min~50min，所述初始第二金属层中的第二金属选自铝、镁、钛、铜、钙和铟中的一种或多种。