[发明专利]金属穿孔卷绕硅太阳能电池电极制备方法

权利要求书

1.一种金属穿孔卷绕硅太阳能电池电极制备方法，其特征在于，包括：

S1、采用太阳能级P型单晶或多晶硅片作为衬底，使用常学清洗和织构化方法对硅片进行制绒，形成绒面，绒面为光陷阱表面；

S2、在硅片上激光开孔，孔洞为N×N的阵列，N为正整数；

S3、在绒面上使用POCl₃扩散源进行高温单面扩散，形成PN结；

S4、在硅片的绒面背表面，以孔洞为圆心，采用丝网印刷或喷墨打印法制备直径1-10mm、厚度1-50μm的圆形有机掩膜；

S5、对硅片进行刻蚀，去除硅片周边及背面多余的PN结，清洗有机掩膜，去除扩散后衬底表面的磷硅玻璃；

S6、对硅片使用PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 等离子体增强化学的气相沉积法）设备制备氮化硅减反膜，减反膜覆盖正电极及扩散面；

S7、采用背银浆料，采用280目，线径32μm，纱厚64μm，正极区膜厚10μm，负极区膜厚20μm的分区不同膜厚设计的网版，丝网印刷金属穿孔卷绕硅太阳能电池背面正极；

S8、采用金属穿孔卷绕硅太阳能电池填孔银浆，丝网印刷金属穿孔卷绕硅太阳能电池背面负极和堵孔；

S9、在金属穿孔卷绕硅太阳能电池背面制备铝背场；

S10、采用正面银浆，通过丝网印刷方式在硅片扩散面，即硅片正表面制备正电极；

S11、在链式炉中进行烘干和烧结，形成正面电极欧姆接触及形成背电场。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在S2中，所述孔洞形状为圆形、方形或锥形。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在S2中，所述孔洞的孔径范围是100-400μm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在S4中，所述圆形有机掩膜为石腊膜，直径为1、2、4、8、10mm，厚度为25μm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在S10中，所述正面银浆采用贺利氏9641，杜邦PV20、帝科92A。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在S11中，烧结温度为750℃-820℃。