[发明专利]基片处理装置和基片处理方法

说明书

本发明涉及基片处理装置和基片处理方法，能够提高基片的成品率。实施方式的基片处理装置包括液量检测部和覆盖检测部。液量检测部检测形成于基片上的液膜的液量。覆盖检测部检测液膜对基片的覆盖状态。

技术领域

本发明的实施方式涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术

一直以来，已知一种基片处理装置，其在基片的表面形成用于防止干燥的液膜，使形成有液膜的基片与超临界流体接触以进行干燥处理(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013－12538号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，上述的基片处理装置中，有时候在基片未形成适当液膜的状态下就进行干燥处理，存在干燥处理后的基片的成品率降低的可能性。

实施方式的一方式的目的在于，提供能够提高基片的成品率的基片处理装置和基片处理方法。

用于解决技术问题的技术方案

实施方式的一方式的基片处理装置包括液量检测部和覆盖检测部。液量检测部检测形成于基片上的液膜的液量。覆盖检测部检测液膜对基片的覆盖状态。

发明效果

依照实施方式的一方式，能够提高基片的成品率。

附图说明

图1是表示第一实施方式的基片处理系统的概略结构的示意图。

图2是表示交接部的概略结构的截面图。

图3是表示清洗处理单元的概略结构的截面图。

图4是表示干燥处理单元的结构的外观立体图。

图5A是表示位于交接位置的干燥处理单元的一部分的概略截面图。

图5B是表示位于待机位置的干燥处理单元的一部分的概略截面图。

图6是表示第一实施方式的控制装置的概略框图。

图7A是表示IPA液体的液膜未产生缺陷部的状态的示意图。

图7B是表示IPA液体的液膜产生有缺陷部的状态的示意图。

图8是说明第一实施方式的基片处理的流程图。

图9是表示第二实施方式的基片处理系统的概略结构的示意图。

图10A是表示第二实施方式的干燥处理单元的一部分的概略截面图。

图10B是表示晶片载置于保持板的状态的干燥处理单元的概略截面图。

图11是表示第二实施方式的控制装置的概略框图。

图12是说明第二实施方式的基片处理的流程图。

图13是表示第三实施方式的干燥处理单元的概略俯视图。

图14是表示图13的XIV－XIV截面下的干燥处理单元的一部分的概略截面图。

图15是表示在形成有IPA液体的液膜的晶片上激光的反射状态的示意图。

图16A是表示IPA液体的液膜未产生缺陷部的状态下的反射光的示意图。

图16B是表示IPA液体的液膜产生有缺陷部的状态下的反射光的示意图。

图17是第三实施方式的控制装置的概略框图。