[发明专利]一种MOSFET晶圆及MOSFET晶圆表面制备方法在审
| 申请号： | 201811632166.X | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109545765A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 宁波;刘义芳 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭永丽;党娟娟 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 晶圆表面金属 表面金属层 晶圆表面 衬底层 制备 半导体领域 金属制备 热点效应 金属层 金属化 电阻 覆盖 | ||
1.一种MOSFET晶圆，其特征在于，包括：衬底层，S极表面金属层和晶圆表面金属层；
所述S极表面金属层覆盖在所述衬底层上，所述晶圆表面金属层设置在所述S极表面金属层上；
所述晶圆表面金属层从下至上包括5层不同金属制备的金属化金属层。
2.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆表面金属层包括的第一层金属化金属层为金属钛层，所述金属钛层的厚度为左右。
3.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆表面金属层包括的第二层金属化金属层为第一金属铜层，所述第一金属铜层的厚度为左右。
4.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆表面金属层包括的第三层金属化金属层为第二金属铜层，所述第二金属铜层的厚度为5～20um左右。
5.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆表面金属层包括的第四层金属化金属层为金属镍层，所述金属镍层的厚度为1～3um左右；第五层金属化金属层为金属金层，所述金属金层的厚度为0.1～0.03um左右。
6.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆表面金属层包括的第四层金属化金属层为金属镍层，所述金属镍层的厚度为1～3um左右；第五层金属化金属层为金属钯层，所述金属钯层的厚度为0.1～0.3um左右；第六层金属化金属层为金属金层，所述金属金层的厚度为0.1～0.03um左右。
7.如权利要求1～6任意一项所述的晶圆，其特征在于，还包括钝化层；
所述钝化层设置在所述S极表面金属层的四周，且所述晶圆表面金属层与所述钝化层不接触。
8.一种MOSFET晶圆表面制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上表面通过溅射方式依次设置第一层金属层和第二层金属层；
在所述第二层金属层上通过光照显影方式暴露待镀金属区域，在所述待镀金属区域上镀上第三层金属层；
将位于所述第三层金属层以外的所述第一层金属层和所述第二层金属层刻蚀掉，暴露位于所述衬底上表面的钝化层和部分S极表面金属层，在所述第三层金属层上依次镀上第四层金属层和第五层金属层。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一层金属层为金属钛层，所述金属钛层的厚度为左右；所述第二层金属层为第一金属铜层，所述第一金属铜层的厚度为左右；所述第三层金属层为第二金属铜层，所述第二金属铜层的厚度为5～20um左右；第四层金属化金属层为金属镍层，所述金属镍层的厚度为1～3um左右；第五层金属化金属层为金属金层，所述金属金层的厚度为0.1～0.3um左右。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述四层金属层和第五层金属层之间还包括一层金属钯层，所述金属钯层的厚度为0.1～0.3um左右。
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