[发明专利]一种LRSPR-荧光成像并行检测装置及LRSPR芯片制作方法有效
申请号: | 201811631704.3 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN109632721B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 崔大付;张璐璐;陈兴;秦连松;李亚亭;徐春方;任艳飞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | G01N21/552 | 分类号: | G01N21/552;G01N21/64 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 lrspr 荧光 成像 并行 检测 装置 芯片 制作方法 | ||
1.一种LRSPR-荧光成像并行检测装置,其特征在于,所述装置包括:
LRSPR光学装置,包括第一光源、第一CCD图像传感器、LRSPR芯片,其中,第一光源用于产生第一激光、LRSPR芯片用于承载待测样品并在第一激光的照射下产生共振反射所述第一激光并使所述待测样品产生第一荧光信号,所述LRSPR芯片包括缓冲层、金属层以及微流控测试池,其中,所述缓冲层的折射率与所述待测样品折射率相同,第一CCD图像传感器用于接收所述第一激光的反射光;其中,所述第一光源包括激光产生器、准直器以及扩束器,所述准直器以及扩束器将所述激光产生器产生的激光准直为一束平行光,所述第一光源的输出量由恒功率控制的反馈控制电路控制;所述微流控测试池采用侧面进样的单通道流通方式;
荧光成像装置,其设于所述LRSPR芯片上方,用于实现对所述待测样品产生的第一荧光信号进行荧光成像,所述荧光成像装置包括第二光源、第二物镜、分光镜、滤光片、第二成像透镜以及第二CCD图像传感器,其中,所述第二光源发射第二激光经所述分光镜反射后通过物镜照射于所述待测样品,使所述待测样品产生第二荧光信号,所述第二荧光信号依次经过所述分光镜、滤光片及第二成像透镜传输至所述第二CCD图像传感器;
机械装置,包括移动装置以及LRSPR机械结构,其中,移动装置用于支撑所述LRSPR光学装置以及荧光成像装置,调节荧光成像装置的视场位置及焦距,LRSPR机械结构用于调节所述LRSPR光学装置的第一光源和第一CCD图像传感器的角度;
数据采集装置,用于采集所述LRSPR光学装置、荧光成像装置以及机械装置的运行数据;
计算机控制装置,用于对所述数据采集装置采集的所述运行数据进行处理;
所述LRSPR-荧光成像并行检测装置包括普通荧光和增强荧光两种工作模式,在所述普通荧光工作模式下所述第二光源提供第二激光,在所述增强荧光工作模式下所述第一光源提供第一激光。
2.根据权利要求1所述的LRSPR-荧光成像并行检测装置,其特征在于,所述微流控测试池包括底座和进样通道,所述底座由透光性材料制成,所述进样通道的材料为PDMS,所述进样通道用于设置待测样品。
3.根据权利要求2所述的LRSPR-荧光成像并行检测装置,其特征在于,采用MEMS技术及铸膜复制技术加工所述微流控测试池。
4.根据权利要求2或3所述的LRSPR-荧光成像并行检测装置,其特征在于,所述进样通道为单通道,且其厚度小于或等于3mm。
5.根据权利要求1所述的LRSPR-荧光成像并行检测装置,其特征在于,所述缓冲层的厚度为600~800nm。
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