[发明专利]一种长灯丝以及一种灯丝网在审

专利信息
申请号: 201811631521.1 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN111384037A 公开(公告)日: 2020-07-07
发明(设计)人: 靳斌;罗钢 申请(专利权)人: 西华大学
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/64;H01L33/62;H01L33/48;F21V19/00;F21Y115/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610039 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 灯丝 以及
【权利要求书】:

1.一种长灯丝,其特征在于其包括:

金属基底层、绝缘层、金属导电层、金属增强导电体、发光体晶片、荧光胶保护层;

多个发光体晶片,以并联连接,其热沉或具有热沉功能的电极焊接在所述金属基底层;

绝缘层设置在所述金属导电层和金属基底层之间并使二者绝缘,其宽度大于金属导电层,且延伸出金属导电层的边缘,其上没有金属导电层处且需要焊接所述倒装式发光体晶片的电极或固晶正装式发光体晶片之处开孔打穿所述绝缘层露出所述金属基底层;

金属增强导电体宽度小于金属导电层,焊接在所述金属导电层上表面;

荧光胶保护层覆盖在所述金属导电层、金属增强导电体、发光体晶片、 绝缘层上表面。

2.根据权利要求1所述的一种长灯丝,其特征在于所述金属基底层厚度范围0.1-1mm,宽度0.5-2mm;在于所述绝缘层、金属导电层厚度范围0.01-0.1mm,宽度0.5-2mm;在于金属增强导电体厚度范围0.1-2mm,宽度0.5-1mm,高度高于所述发光体晶片的高度,或者发光体晶片的引线的高度;在于所述金属基底层、绝缘层、金属导电层、金属增强导电体长度范围1米-1百米。

3.根据权利要求1所述的一种长灯丝,其特征在于所述发光体晶片是发光二极管(LED)晶片或者激光二极管(LD)晶片,其架构是正装、倒装、垂直、薄膜形式。

4.根据权利要求1所述的一种长灯丝,其特征在于所述金属基底层、金属导电层、金属增强导电体表面镀锡。

5.一种制作权利要求1-4所述的一种长灯丝的工艺,其特征在于其包括:A)用整卷的单面FPC的上表面金属层作所述金属导电层,用FPC的聚亚酰胺基底作所述绝缘层,用卷到卷模式对FPC上表面金属导电层腐蚀形成电路图形;在FPC的无金属导电层面(即背面)用覆膜工艺涂胶层;对腐蚀掉金属导电层部分的FPC按照设置所述发光体晶片的需要打孔;

B)在上述工艺的基础上,用覆膜工艺将整卷的所述金属基底层粘合在下表面,得到金属基底层-绝缘层-金属导电层复合体;用卷到卷模式在金属基底层-绝缘层-金属导电层复合体上表面按照所述发光体晶片的需要制作焊盘;

C) 在上述工艺的基础上,当所述在发光体晶片是正装晶片时采用固晶和连线工艺,当所述在发光体晶片是倒装晶片时进行焊接工艺,将发光体晶片固定在所述金属基底层-绝缘层-金属导电层复合体;

D)在上述工艺的基础上,用覆膜工艺将切割成细条的所述金属增强导电体贴敷在所述金属基底层-绝缘层-金属导电层复合体的金属导电层上表面,并焊接为一体;

E)在上述工艺的基础上,在所述金属导电层、金属增强导电体、发光体晶片、 绝缘层上表面覆盖所述荧光胶保护层;纵切分条。

6.一种制作权利要求1-4所述的一种长灯丝的工艺,其特征在于其包括:

A)从整卷的薄铜基板开始,用所述薄铜基板的上表面金属层作所述金属导电层,用所述薄铜基板的绝缘层作所述绝缘层,用所述薄铜基板的基底薄铜板作金属基底层;做用卷到卷模式对薄铜基板上表面金属导电层腐蚀形成电路图形;对腐蚀掉金属导电层部分的薄铜基板按照设置所述发光体晶片的需要打固晶孔和焊线焊盘孔,击穿所述绝缘层,露出所述金属基底层;

B)在上述工艺的基础上,用卷到卷模式在薄铜基板上表面按照所述发光体晶片的需要制作焊盘;

C) 在上述工艺的基础上,当所述在发光体晶片是正装晶片时采用固晶和连线工艺,当所述在发光体晶片是倒装晶片时进行焊接工艺,将发光体晶片固定在薄铜基板上;

D)在上述工艺的基础上,用覆膜工艺将切割成细条的所述金属增强导电体贴敷在铜基板的金属导电层上表面,并焊接为一体;

E)在上述工艺的基础上,在所述金属导电层、金属增强导电体、发光体晶片、 绝缘层上表面覆盖所述荧光胶保护层;纵切分条。

7.一种灯丝网,其特征在于其包括上述任一权利要求所述的长灯丝和导热细丝,长灯丝和导热细丝编织而成网。

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