[发明专利]锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法

说明书

本发明提供一种锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法，在氧化膜侧壁上形成氮化膜侧墙；将光刻胶覆盖氮化膜掩膜层和氧化膜上表面；利用N型、P型多晶硅栅极的高度差，使N型多晶硅栅极上的氧化膜掩膜层和氮化膜掩膜层露出，而P型多晶硅栅极上氧化膜表面仍被光刻胶覆盖；将N型多晶硅栅极上的氧化膜以及氧化膜掩膜层去除至露出氮化膜掩膜层；P型多晶硅栅极上的氧化膜仍被光刻胶覆盖；光刻胶剥离后去除氮化掩膜层和氮化膜侧墙。由于N型多晶硅栅极氧化掩膜层已经被单独刻蚀，所以DHF刻蚀时间可以大大缩短，P型多晶硅氧化膜不会过度消耗，有利于保护P型多晶硅栅极，同时可以增加磷酸刻蚀时间，避免N型氮化掩膜层残留。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法。

背景技术

在半导体器件制造的现有技术中，在锗硅生长并去除P型多晶硅栅极氮化掩膜层后，先通过氮化膜淀积和刻蚀形成一道氮化膜侧墙，此时P型和N型多晶硅栅极氧化掩膜层厚度非常接近，N型处氧化掩膜层厚度略厚10A。然后采用湿法工艺，先用稀氟氢酸(DHF)去除N型多晶硅栅极上的氧化膜，然后用磷酸去除氮化掩膜层。由于DHF同时会去掉P型多晶硅栅极上的氧化膜导致P型多晶硅栅极曝露，如果DHF和磷酸时间过长，在磷酸作用下容易出现P型多晶硅栅极损伤；另外如果减少DHF的刻蚀量，由于N型多晶硅栅极处氧化掩膜层厚度比P型多晶硅栅极处厚约10A左右，容易出现P型多晶硅栅极处氧化掩膜层刻蚀不足，加上磷酸几乎不吃氧化膜，从而导致氮化掩膜层残留。

现有的工艺方法整体工艺窗口非常窄，容易出现P型多晶硅栅极损伤或者N型多晶硅栅极氮化掩膜层残留。

因此，需要一种新的锗硅生长后的氮化掩膜层的去除方法来解决上述种种问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种锗硅生长后的氮化掩膜层的去除方法，用于解决现有技术中由于N型多晶硅栅极和P型多晶硅栅极上氧化膜厚度差异导致工艺窗口很小，容易出现P型多晶硅栅极损伤或者N型多晶硅栅极氮化掩膜层残留的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法，提供一半导体结构，至少包括：P阱和位于P阱上的N型多晶硅栅极、所述N型多晶硅栅极上形成有氮化掩膜层，位于氮化掩膜层上的氧化膜掩膜层；所述N型多晶硅栅极、氮化掩膜层以及氧化膜掩膜层的侧壁具有第一氮化膜侧墙；覆盖于所述氧化膜掩膜层上表面和所述第一氮化膜侧墙外表面的氧化膜；N阱及位于N阱上的P型多晶硅栅极、所述P型多晶硅栅极侧壁形成有第一氮化膜侧墙，覆盖于所述P型多晶硅上表面和所述第一氮化膜侧墙外表面的氧化膜；所述N型多晶硅栅极的高度高于所述P型多晶硅栅极的高度；形成于所述N阱中的锗硅，该方法至少包括：步骤一、在所述氧化膜侧壁上形成第二氮化膜侧墙；步骤二、涂光刻胶，将所述光刻胶覆盖所述N型多晶硅栅极和其上的氮化掩膜层，同时覆盖所述P型多晶硅栅极和其上的氧化膜上表面；步骤三、光刻胶回刻，利用N型多晶硅栅极与所述P型多晶硅栅极的高度差，使所述N型多晶硅栅极上的氧化膜掩膜层和氮化掩膜层露出，而P型多晶硅栅极上的氧化膜上表面仍被光刻胶覆盖；步骤四、将所述N型多晶硅栅极上表面的氧化膜以及氧化膜掩膜层利用刻蚀去除至露出所述氮化掩膜层；所述P型多晶硅栅极上的氧化膜上表面仍被光刻胶覆盖；步骤五、进行光刻胶的剥离和清洗；步骤六、去除所述N型多晶硅栅极上的氮化掩膜层和所述第二氮化膜侧墙。

优选地，所述P阱和N阱形成交界面，所述半导体结构还包括：形成于所述P阱和N阱中二者交界处的隔离层，位于所述隔离层上的另一N型多晶硅栅极。

优选地，所述锗硅形成于所述N阱中且有部分位于所述另一N型多晶硅栅极和所述P型多晶硅栅极之间。

优选地，所述步骤二中涂光刻胶的厚度为1000至2000埃。

优选地，该方法用于关键尺寸为40nm至28nm的技术。

优选地，该方法用于关键尺寸小于28nm的技术。