[发明专利]一种高精度高可靠Ti/W-Cu-Au复合电极热敏芯片在审
| 申请号： | 201811629850.2 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109576655A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 贺晓东;段兆祥;杨俊;唐黎民;柏琪星 | 申请（专利权）人： | 广东爱晟电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/18;C23C14/16;G01K7/22 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 526020 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合电极 热敏芯片 高可靠 热敏陶瓷基片 冷热冲击 钛钨层 金层 铜层 制备 老化 | ||
1.一种高精度高可靠Ti/W-Cu-Au复合电极热敏芯片，其特征在于：包括热敏陶瓷基片以及两个分别设于所述热敏陶瓷基片的两表面上的复合电极，所述复合电极是由钛钨层、铜层和金层从内向外依次在所述热敏陶瓷基片表面上层叠而成。
2.根据权利要求1所述的高精度高可靠Ti/W-Cu-Au复合电极热敏芯片，其特征在于：所述钛钨层采用钛与钨的质量比为1:9的钛钨合金。
3.根据权利要求1或2所述的高精度高可靠Ti/W-Cu-Au复合电极热敏芯片，其特征在于：所述钛钨层的厚度为0.01～1微米。
4.根据权利要求1或2所述的高精度高可靠Ti/W-Cu-Au复合电极热敏芯片，其特征在于：所述铜层的厚度为0.01～2微米。
5.根据权利要求1或2所述的高精度高可靠Ti/W-Cu-Au复合电极热敏芯片，其特征在于：所述金层的厚度为0.01～1微米。
6.根据权利要求1或2所述的高精度高可靠Ti/W-Cu-Au复合电极热敏芯片，其特征在于：所述钛钨层的厚度为0.2微米，所述铜层的厚度为0.4微米，所述金层的厚度为0.1微米。
7.根据权利要求1或2所述的高精度高可靠Ti/W-Cu-Au复合电极热敏芯片，其特征在于：所述钛钨层、铜层和金层均采用溅射法形成。
8.权利要求1-7任一项所述的高精度高可靠Ti/W-Cu-Au复合电极热敏芯片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：在片状的热敏陶瓷基材的两表面上分别依次设置钛钨层、铜层和金层，然后将所述热敏陶瓷基材切割成单个的所述热敏芯片。
9.根据权利要求8所述的高精度高可靠Ti/W-Cu-Au复合电极热敏芯片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)在片状的热敏陶瓷基材的两表面上分别溅射一层钛钨层；
(2)在步骤(1)得到的热敏陶瓷基材两表面的钛钨层上分别溅射一层铜层；
(3)在步骤(2)得到的热敏陶瓷基材两表面的铜层上分别溅射一层金层；
(4)测试步骤(3)得到的热敏陶瓷基材的电阻率，按照测试结果和所需热敏芯片的阻值计算出单个热敏芯片的尺寸大小，然后对所述热敏陶瓷基材进行划切，得到单个的所述热敏芯片。
10.根据权利要求9所述的高精度高可靠Ti/W-Cu-Au复合电极热敏芯片的制备方法，其特征在于：步骤(1)～(3)利用真空溅射镀膜机在氩气作为工作气体的条件下实施溅射。
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