[发明专利]一种膜层的制备方法与量子点发光二极管

权利要求书

1.一种量子点发光二极管的制备方法，所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置于所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层、设置于所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，其特征在于，所述量子点发光层、电子传输层和空穴传输层中的至少一种膜层采用以下制备方法制得：

提供网状结构模板，将膜层材料覆盖在所述网状结构模板内部和表面，使所述网状结构模板内部和表面填充有所述膜层材料；

将表面覆盖有膜层材料网状结构模板转移至真空腔室内，所述真空腔室内设置有基板；

通过激光照射所述表面覆盖有膜层材料的网状结构模板，将所述膜层材料沉积到所述基板，在基板上形成所述膜层；

所述膜层材料为通过溶液法合成所得的量子点、电子传输纳米颗粒或者空穴传输纳米颗粒。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述网状结构模板材料选自碳纳米管、六方氮化硼、石墨烯或碳纤维。

3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，

所述真空腔室设置有透明材料窗口，激光通过所述透明材料窗口照射所述表面覆盖有膜层材料网状结构模板。

4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，还包括：在所述表面覆盖有膜层材料网状结构模板与基板之间设置掩膜板，在基板上形成图案化的膜层。

5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述网状结构模板的孔隙率为13~85%；和/或

所述网状结构模板的孔隙大小为3~400nm；和/或

所述网状结构模板的厚度为0.4~12 um。

6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述激光的功率为0.4~18W；

所述真空腔室内的真空度为1×10^-2~5×10^-5Pa。

7.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述表面覆盖有膜层材料网状结构模板与所述基板之间的中心距离为0.2~8mm。

8.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述表面覆盖有膜层材料网状结构模板与所述基板之间的夹角为0~45度。

9.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述膜层材料选自量子点发光二极管中的量子点发光层材料、电子传输层材料或空穴传输层材料。

10.一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置于所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层、设置于所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，其特征在于，所述量子点发光二极管采用权利要求1~9任一项所述的制备方法制备得到。