[发明专利]混合式多频天线阵列有效

专利信息
申请号: 201811628521.6 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN111384589B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 李伟宇;钟蔿;翁金辂 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q5/20;H01Q21/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 混合式 天线 阵列
【权利要求书】:

1.一种混合式多频天线阵列,其特征在于,包含:

多层介质基板,具有接地导体结构,并且该接地导体结构具有第一边缘;

第一天线阵列,其包含多个折叠环圈天线,该多个折叠环圈天线均整合于该多层介质基板,并沿着该第一边缘延伸排列,其中,各该折叠环圈天线均各自具有一蜿蜒金属共振路径,各该蜿蜒金属共振路径均各自具有一环圈短路点以及一环圈馈入点,各该环圈短路点均电气连接于该接地导体结构,相邻各该环圈馈入点之间均具有各自的一第一间距,该第一天线阵列激发产生一第一共振模态,该第一共振模态涵盖至少一第一通讯频段;以及

第二天线阵列,其包含多个并联槽孔天线,该多个并联槽孔天线均整合于该多层介质基板,并沿着该第一边缘延伸排列,其中,各该并联槽孔天线均各自具有第一槽孔与第二槽孔,以及各自具有一信号耦合线横跨该第一槽孔与该第二槽孔,该多个第一槽孔以及该多个第二槽孔均位于该接地导体结构上,并且该多个信号耦合线均各自具有一槽孔馈入点,相邻各该槽孔馈入点之间均具有各自的第二间距,该第二天线阵列激发产生一第二共振模态,该第二共振模态涵盖至少一第二通讯频段,且该第二共振模态的频率小于该第一共振模态的频率。

2.根据权利要求1所述的混合式多频天线阵列,其特征在于,该接地导体结构为一接地导体面。

3.根据权利要求1所述的混合式多频天线阵列,其特征在于,该接地导体结构为一多层接地导体面,并且该多层接地导体面之间具有多个接地导体通孔彼此电气连接。

4.根据权利要求1所述的混合式多频天线阵列,其特征在于,该第一间距的距离均介于该第一通讯频段最低操作频率的0.23波长到0.85波长之间。

5.根据权利要求1所述的混合式多频天线阵列,其特征在于,该第二间距的距离均介于该第二通讯频段最低操作频率的0.23波长到0.85波长之间。

6.根据权利要求1所述的混合式多频天线阵列,其特征在于,该并联槽孔天线的该第一槽孔的开口中心点位置与该第二槽孔的开口中心点位置之间具有一第三间距,该第三间距介于该第二通讯频段最低操作频率的0.1波长至0.7波长之间。

7.根据权利要求1所述的混合式多频天线阵列,其特征在于,该多个蜿蜒金属共振路径各自从该环圈馈入点到该环圈短路点的路径长度均介于该第一通讯频段最低操作频率的0.5波长到2.0波长之间。

8.根据权利要求1所述的混合式多频天线阵列,其特征在于,该环圈馈入点均各自借由传输线电气耦接于一第一波束成形电路。

9.根据权利要求1所述的混合式多频天线阵列,其特征在于,该槽孔馈入点均各自借由传输线电气耦接于一第二波束成形电路。

10.根据权利要求1所述的混合式多频天线阵列,其特征在于,该环圈馈入点以及该槽孔馈入点均各自借由传输线电气耦接于一第三波束成形电路。

11.根据权利要求8所述的混合式多频天线阵列,其特征在于,该第一波束成形电路为功率合成电路、相位控制电路、升降频电路、阻抗匹配电路、放大器电路、集成电路芯片或射频模块。

12.根据权利要求9所述的混合式多频天线阵列,其特征在于,该第二波束成形电路为功率合成电路、相位控制电路、升降频电路、阻抗匹配电路、放大器电路、集成电路芯片或射频模块。

13.根据权利要求10所述的混合式多频天线阵列,其特征在于,该第三波束成形电路为功率合成电路、相位控制电路、升降频电路、阻抗匹配电路、放大器电路、集成电路芯片或射频模块。

14.根据权利要求1所述的混合式多频天线阵列,其特征在于,仅部分该多个折叠环圈天线与部分该多个并联槽孔天线于该第一边缘交错配置。

15.根据权利要求1所述的混合式多频天线阵列,其特征在于,相邻各该并联槽孔天线之间均具有各自的一第三槽孔,该第三槽孔均位于该接地导体结构上。

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