[发明专利]一种电阻片及其制备方法

权利要求书

1.一种电阻片，其中，以质量百分比计，该电阻片的坯体的原料组成包括：滑石15%-20%、石英12%-18%、长石12%-17%、膨润土5%-10%、氧化铜2%-4%，余量为碳化硅。

2.根据权利要求1所述的电阻片，其中，所述碳化硅为主料。

3.权利要求1或2所述的电阻片的制备方法，其中，该制备方法包括如下步骤：

1）球磨混合：将滑石、石英、长石、膨润土和氧化铜放入球磨机中进行第一次球磨混合，然后再加入碳化硅进行第二次球磨混合，制成料浆；

2）干燥：干燥所述料浆，得到干粉料；

3）造粒：将所述干粉料与水混合，进行造粒，然后将造粒得到的造粒料进行陈腐；

4）成型：将陈腐后的造粒料压制成电阻片坯体；

5）涂釉和干燥：将电阻片坯体外侧涂釉，然后进行干燥处理；

6）预烧：将步骤5）干燥后的电阻片坯体进行预烧结后冷却；

7）高温烧结：将步骤6）冷却后的电阻片坯体进行高温烧结后冷却；

8）磨片和喷涂电极材料：将步骤7）冷却的高温烧结的电阻片坯体进行磨片，然后喷涂电极材料，得到所述电阻片。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其中，步骤6）中所述冷却为随炉冷却到室温。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其中，步骤7）中所述冷却为随炉冷却到室温。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其中，在步骤1）中，所述第一次球磨混合，球磨机中还加入水，其中，滑石、石英、长石、膨润土和氧化铜的质量之和与水的质量的比值为1:1-1:1.3。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其中，所述滑石、石英、长石、膨润土和氧化铜的质量之和与水的质量的比值为1:1。

8.根据权利要求3-7任一项所述的制备方法，其中，在步骤1）中，所述第一次球磨混合的时间为3小时-4小时；所述第二次球磨混合的时间为2小时-3小时。

9.根据权利要求3所述的制备方法，其中，在步骤3）中，所述水的质量为干粉料质量的5%-7%；所述陈腐的时间为10小时-12小时。

10.根据权利要求3所述的制备方法，其中，在步骤4）中，所述电阻片坯体的密度为2.9g/cm³-3.5g/cm³。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其中，在步骤4）中，所述电阻片坯体的密度为2.9g/cm³-3.2g/cm³。

12.根据权利要求3所述的制备方法，其中，以质量百分比计，在步骤5）中，所述釉包含如下组分：高压瓷坯料75%-85%、氧化铝10%-15%、滑石5%-10%。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其中，所述涂釉的釉层厚度为0.2mm-0.4mm。

14.根据权利要求3、12、13中任一项所述的制备方法，其中，在步骤5）中，所述干燥处理的升温速率为15℃/小时-20℃/小时，升温至150℃-160℃并保持1小时-1.5小时，然后冷却到室温。

15.根据权利要求3所述的制备方法，其中，在步骤6）中，所述预烧结的升温速率为100℃/小时-110℃/小时，升温至850℃-900℃并保持1.5小时-2小时。

16.根据权利要求3所述的制备方法，其中，在步骤7）中，所述高温烧结的升温速率为130℃/小时-140℃/小时，升温至1350℃-1370℃并保持1小时-1.5小时。

17.根据权利要求16所述的制备方法，其中，在步骤7）中，所述高温烧结在氢气炉中进行。