[发明专利]一种电路过流保护装置和方法

权利要求书

1.一种电路过流保护装置，其特征在于，包括电子熔丝保护电路电流设定电阻、电压分压电路、一阶过流保护电阻调节电路和二阶过流保护电阻调节电路；

所述电子熔丝保护电路电流设定电阻上加载有熔丝保护开关的过流保护设置引脚Shtdwn引脚输出的电压；

所述电压分压电路包括串联的第一电容和第二电容，第一电容侧接入所述熔丝保护开关的输出电压；

所述一阶过流保护电阻调节电路包含第一调节电阻，所述一阶过流保护电阻调节电路根据所述第一电容与所述第二电容中间点输出电压值控制所述第一调节电阻与所述电子熔丝保护电路电流设定电阻并联或断开；

所述二阶过流保护电阻调节电路包含第二调节电阻，所述二阶过流保护电阻调节电路根据所述熔丝保护开关的输出电压控制所述第二调节电阻与所述电子熔丝保护电路电流设定电阻并联或断开。

2.根据权利要求1所述的电路过流保护装置，其特征在于，

所述一阶过流保护电阻调节电路还包括：

串联的第一电阻、第二电阻，

第一比较器及与所述第一比较器输出端连接的第一导通开关；

在所述第一电阻和第二电阻的串联电路上加载有输入电压，自所述第一电阻和所述第二电阻的中间点引出一路输出电压作为所述第一比较器的负端输入，自所述第一电容和第二电容的中间点引出一路输出电压作为所述第一比较器的正端输入；

在所述第一比较器正端输入高于负端输入时，所述第一比较器触发所述第一导通开关导通，所述第一调节电阻与所述电子熔丝保护电路电流设定电阻并联；

其中，所述第一导通开关为N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管。

3.根据权利要求1所述的电路过流保护装置，其特征在于，

所述二阶过流保护电阻调节电路还包括：

串联的第三电阻、第四电阻，

第二比较器及与所述第二比较器输出端连接的第二导通开关；

在所述第三电阻和第四电阻的串联电路上加载有输入电压，自所述第三电阻和所述第四电阻的中间点引出一路输出电压作为所述第二比较器的负端输入，以所述熔丝保护开关的输出电压作为所述第二比较器的正端输入；

在所述第二比较器正端输入高于负端输入时，所述第二比较器触发所述第二导通开关导通，所述第二调节电阻与所述电子熔丝保护电路电流设定电阻并联。

4.根据权利要求3所述的电路过流保护装置，其特征在于，

所述第二导通开关为N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管。

5.一种使用如权利要求1－4中任意一项所述的电路过流保护装置的电路过流保护方法，其特征在于，包括：

在熔丝保护开关的输出电压高于第一保护阈值时，触发一阶过流保护电阻调节电路；

将第一调节电阻与电子熔丝保护电路电流设定电阻并联，对所述电子熔丝保护电路电流设定电阻进行分流。

6.根据权利要求5所述的电路过流保护方法，其特征在于，将第一调节电阻与电子熔丝保护电路电流设定电阻并联，对所述电子熔丝保护电路电流设定电阻进行分流的步骤之后，还包括：

在熔丝保护开关的输出电压继续升高超过第二保护阈值时，触发二阶过流保护电阻调节电路；

将第二调节电阻、所述第一调节电阻及所述电子熔丝保护电路电流设定电阻并联，对所述电子熔丝保护电路电流设定电阻进行分流。