[发明专利]一种SiC基底的激光退火装置在审
| 申请号: | 201811627629.3 | 申请日: | 2018-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN111383916A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
| 发明(设计)人: | 周炯;周伟 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 sic 基底 激光 退火 装置 | ||
1.一种SiC基底的激光退火装置,其特征在于,包括:
激光发射单元,用于提供退火所需的激光光源;
激光整形单元,用于将激光发射单元发射的激光整形为矩形光斑,所述矩形光斑的扫描向的能量分布呈梯形;
扫描振镜单元,用于控制来自所述激光整形单元的激光光束,使其在待退火的SiC基底表面按预设扫描方式扫描;
工件承载单元,用于承载待退火的SiC基底;
主控制器,分别与所述激光发射单元、激光整形单元、扫描振镜单元和工件承载单元电连接。
2.根据权利要求1所述的SiC基底的激光退火装置,其特征在于,所述矩形光斑的步进向的能量分布呈高斯平顶。
3.根据权利要求1所述的SiC基底的激光退火装置,其特征在于,所述梯形的上底边大于或等于下底边的一半。
4.根据权利要求1所述的SiC基底的激光退火装置,其特征在于,所述矩形光斑的扫描向的能量分布呈等腰梯形分布,所述等腰梯形的底角为45±2°。
5.根据权利要求1所述的SiC基底的激光退火装置,其特征在于,所述预设扫描方式为环形扫描方式,自所述SiC基底的边缘到中心,或者,自所述SiC基底的中心到边缘。
6.根据权利要求1所述的SiC基底的激光退火装置,其特征在于,所述激光发射单元包括激光器、起偏器、激光控制器、分光镜和激光能量采集器;
所述激光控制器用于接收所述主控制器的控制指令,控制所述激光器发出预设功率和波长的激光光束;
所述起偏器用于将来自所述激光器的激光光束转变为两个偏振方向的偏振激光光束;
所述分光镜位于所述激光器的出射光路上,所述激光光束中第一方向的偏振激光光束透过所述分光镜出射,第二方向的偏振激光光束经所述分光镜反射后,耦合至激光能量采集器;
所述激光能量采集器用于采集第二方向的偏振激光光束的能量信息,并反馈给所述激光控制器。
7.根据权利要求6所述的SiC基底的激光退火装置,其特征在于,所述激光发射单元还包括温度控制及保护器,所述温度控制及保护器用于实时采集所述激光器内部的温度信息,并反馈给所述激光控制器。
8.根据权利要求1所述的SiC基底的激光退火装置,其特征在于,所述激光整形单元包括沿光束传播方向依次布置的准直器、扩束器和衍射光学元件;
所述准直器用于将来自激光发射单元的发散的激光光束准直为平行的激光光束;
所述扩束器用于扩大平行输入光束的直径;
所述衍射光学元件与所述主控制器电连接,用于将来自扩束器的激光光束整形为矩形光斑,所述矩形光斑的扫描向的能量分布呈梯形。
9.根据权利要求1所述的SiC基底的激光退火装置,其特征在于,所述扫描振镜单元包括沿光束传播方向依次布置的扫描振镜和与所述扫描振镜配合的聚焦透镜,所述扫描振镜与所述主控制器电连接,包括X轴扫描振镜和Y轴扫描振镜。
10.根据权利要求9所述的SiC基底的激光退火装置,其特征在于,所述聚焦透镜为远心镜。
11.根据权利要求6所述的SiC基底的激光退火装置,其特征在于,所述激光器为355nm固体激光器。
12.根据权利要求8所述的SiC基底的激光退火装置,其特征在于,还包括快门单元,所述快门单元与所述主控制器电连接,位于所述准直器和扩束器之间,用于控制激光光束的单次扫描时间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微电子装备(集团)股份有限公司,未经上海微电子装备(集团)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811627629.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





