[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片在审
| 申请号： | 201811627161.8 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109713097A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 游正璋;卢国军 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 刘翔 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延结构 阻挡层 衬底 交叠 制备 光电特性 残余的 晶格 位错 生产成本 图像 | ||
1.一种LED外延结构，其特征在于，包括：
第一子外延结构，位于一衬底上；
第二子外延结构，位于所述第一子外延结构上；
阻挡层，位于所述第一子外延结构和第二子外延结构之间，所述阻挡层包括N个周期性交叠的SiN层和GaN层，其中，N≥1，且N为整数。
2.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述阻挡层的厚度范围在10nm～500nm之间，所述SiN层的厚度与所述GaN层的厚度比的范围在1:100～100:1之间。
3.如权利要求1-2中任一项所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一子外延结构包括依次形成于所述衬底上的成核层和非掺杂层。
4.如权利要求1-2中任一项所述的LED外延结构，其特征在于，所述第二子外延结构包括依次形成于所述阻挡层上的N型掺杂层、应力调节层、多量子阱结构层、电子阻挡层和P型掺杂层，其中，所述应力调节层包括M个周期性交叠的InyAlxGa1-x-yN层和AlxInyGa1-x-yN，其中，0≤x≤1；0≤y≤1；x+y≤1；M≥1，且为整数。
5.如权利要求1-2中任一项所述的LED外延结构，其特征在于，所述衬底包括蓝宝石衬底、GaN衬底、AlN衬底、AlGaN衬底、Si衬底或SiC衬底中的一种衬底或几种衬底的复合衬底。
6.一种LED芯片，其特征在于，包括：
衬底；以及
如权利要求1～5中任一项所述的LED外延结构。
7.一种LED外延结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，所述衬底上形成有第一子外延结构；
在所述第一子外延结构上形成阻挡层，所述阻挡层包括N个周期性交叠的SiN层和GaN层，其中，N≥1，且N为整数；以及
在所述阻挡层上形成第二子外延结构。
8.如权利要求7中任一项所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述阻挡层通过金属有机化学气相沉积方法、等离子体增强化学气相沉积方法、分子束外延方法或氢化物气相外延方法形成。
9.如权利要求8中任一项所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的生长温度的范围在850℃～1100℃之间，所述阻挡层的压力环境的范围在50torr～600torr之间。
10.如权利要求9中任一项所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述SiN层的厚度与所述GaN层的厚度比的范围在1:100～100:1之间。
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