[发明专利]一种定量检测量子点表面硫醇配体含量的方法

说明书

本发明公开一种定量检测量子点表面硫醇配体含量的方法，钒酸铋（BiVO₄）是一种可见光响应的半导体材料，具有良好的光催化活性，同时，具有良好的光电性质。进行光电测试（PEC），光照时，位于基态的电子空穴发生分离，跃迁的电子可产生电流被检测到。硫化铋（Bi₂S₃）作为一种半导体材料，可与钒酸铋形成Bi₂S₃‑BiVO₄异质结，Bi₂S₃‑BiVO₄这种异质结可以提高空穴和电子的分离效率，进行PEC测试时，比BiVO₄的电流强度大。在硫化铋与钒酸铋的比例一定范围内，Bi₂S₃的含量与光电流大小成正比，通过测试光电流大小，就可以实现Bi₂S₃的定量计算，也即得到量子点表面硫醇配体的含量。

技术领域

本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种定量检测量子点表面硫醇配体含量的方法。

背景技术

量子点合成过程中会加入配体，配体会对量子点成核及生长、形貌、荧光性质和稳定性产生影响。配体分布在量子点表面，通常有一种或几种，如硫醇类、胺类、羧酸类、膦类。硫醇类一般有辛硫醇、十二硫醇、十八硫醇、双取代二硫醇等；胺类一般有十二胺、油胺等；羧酸类有油酸等；膦类有二辛基膦、三辛基膦、己基膦酸、十四烷基膦酸、十八烷基膦酸等。配体的添加量是已知的，但是一部分配体在量子点清洗过程中被洗掉，剩下一部分配体结合在量子点表面，这部分结合的配体含量是未知的，而这部分配体含量对理论计算，进一步反应投料量计算，发光机理的研究都有很重要的指导作用。所以，寻找一种可以定量计算量子点表面配体含量的方法具有重要意义。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种定量检测量子点表面硫醇配体含量的方法，旨在提供一种可以定量计算量子点表面硫醇配体含量的方法。

本发明的技术方案如下：

一种定量检测量子点表面硫醇配体含量的方法，其中，包括步骤：

配制不同摩尔浓度的硫醇溶液，将预制的钒酸铋膜放入硫醇溶液中进行反应，得到第一Bi₂S₃-BiVO₄异质结膜，对所述第一Bi₂S₃-BiVO₄异质结膜进行光电测试，记录光电流大小，根据所述硫醇浓度与光电流大小确定硫醇浓度与光电流的对应关系；

将所述钒酸铋膜放入待测量子点溶液中进行反应，其中量子点表面结合有硫醇配体，得到第二Bi₂S₃-BiVO₄异质结膜；对所述第二Bi₂S₃-BiVO₄异质结膜进行光电测试，得到光电流值，根据硫醇浓度与光电流的对应关系以及所述光电流值得到硫醇浓度值。

有益效果：本发明中，钒酸铋(BiVO₄)是一种可见光响应的半导体材料，具有良好的光催化活性，同时，具有良好的光电性质。进行光电测试(PEC)，光照时，位于基态的电子空穴发生分离，跃迁的电子可产生电流被检测到。硫化铋(Bi₂S₃)作为一种半导体材料，可与钒酸铋形成Bi₂S₃-BiVO₄异质结，Bi₂S₃-BiVO₄这种异质结可以提高空穴和电子的分离效率，进行PEC测试时，比BiVO₄的电流强度大。在硫化铋与钒酸铋的比例一定范围内，Bi₂S₃的含量与光电流大小成正比，通过测试光电流大小，就可以实现Bi₂S₃的定量计算，也即得到量子点表面硫醇配体的含量。