[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，方法包括步骤：提供阳极；在所述阳极上制备量子点发光层；在所述量子点发光层上制备阴极，得到所述量子点发光二极管；其中，所述量子点发光层通过以下方法制备得到：提供混合溶液，所述混合溶液包括量子点、溶剂和添加剂，所述添加剂为碳原子数6‑13的烷烃，所述烷烃主链两端的碳原子连接碘原子；先将所述混合溶液沉积到阳极上形成膜层，再使所述膜层中添加剂挥发出来，得到所述量子点发光层。本发明方法可以降低量子点之间的Dexter能量转移，减少能量的损耗，从而提高器件的发光效率。

技术领域

本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

近年来，随着显示技术的快速发展，以半导体量子点（QDs）材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)受到了广泛的关注。量子点发光二极管色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点，使得其在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。尽管通过对量子点材料的改进以及QLED器件结构的不断优化，现有QLED的性能(包括器件效率和寿命)得到了大幅度的提高，但是其效率与产业化生产的要求还相差较远。其中量子点层是QLED器件的关键一层，量子点层是一层纳米颗粒形成的。目前存在的问题是如果纳米颗粒浓度过低，无法形成一层致密的量子点层，即出现孔洞，会导致漏电流的发生；浓度过高，会出现纳米颗粒的堆积，即有团簇生成，会导致Dexter能量转移（Dexter能量转移属于非辐射能量转移），降低了器件的发光效率。因此，如何制备一层致密均匀的量子点层，是提高QLED发光效率的重要研究方向。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光二极管发光效率低的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：

提供阳极；

在所述阳极上制备量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备阴极，得到所述量子点发光二极管；

其中，所述量子点发光层通过以下方法制备得到：

提供混合溶液，所述混合溶液包括量子点、溶剂和添加剂，所述添加剂为碳原子数6-13的烷烃，所述烷烃主链两端的碳原子连接碘原子；

先将所述混合溶液沉积到阳极上形成膜层，再使所述膜层中添加剂挥发出来，得到所述量子点发光层。

一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层，其中，所述量子点发光二极管采用本发明所述的制备方法制备得到。

有益效果：本发明中，通过采用含量子点和添加剂的混合溶液制备量子点发光层，所述添加剂为碳原子数6-13的烷烃，所述烷烃主链两端的碳原子连接碘原子，这样在混合溶液形成膜层后，所述添加剂就会存在于量子点之间，在一定条件下使所述添加剂从量子点的间隙中挥发出来，由于所述添加剂长链两端为半径较大的碘原子，这样挥发之后就会在量子点之间形成约碘原子大小的间隙，这样就降低了量子点之间的Dexter能量转移，减少了能量的损耗，从而提高了器件的发光效率。

附图说明

图1为本发明实施例中提供的一种量子点发光二极管的结构示意图。

具体实施方式

本发明提供一种量子点发光二极管及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例提供一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：