[发明专利]电压切换电路及切换方法

权利要求书

1.一种电压切换电路，其特征在于，该电路包含：并联的第一电路和第二电路；

所述第一电路包含：

第一输入端；

第一PMOS管，其源极连接第一输入端，栅极接地；

第二PMOS管，其源极连接第一PMOS管的漏极，栅极连接控制第二PMOS管导通或关断的第一栅极驱动电压；

第三PMOS管，其源极连接第二PMOS管得漏极，栅极接地，漏极连接输出端；

第一NMOS管，其源极连接第一输入端，栅极连接控制第一NMOS管导通或关断的第二栅极驱动电压；

第二NMOS管，其源极连接第一NMOS管漏极，栅极连接控制第二NMOS管导通或关断的第三栅极驱动电压，漏极连接输出端；

所述第二电路包含：

第二输入端；

第三NMOS管，其源极连接第二输入端，栅极连接控制第三NMOS管导通或关断的第四栅极驱动电压；

第四NMOS管，其源极连接第三NMOS管漏极，栅极连接控第四NMOS管导通或关断的第五栅极驱动电压，漏极连接输出端。

2.如权利要求1所述的电压切换电路，其特征在于，所述第一栅极驱动电压驱动第二PMOS管导通的电压取值为比第一输入端输入电压低一个PMOS管的阈值电压；驱动第二PMOS管关断的电压取值为大于等于第一输入电压。

3.如权利要求1所述的电压切换电路，其特征在于，所述第二栅极驱动电压驱动第一NMOS管导通的电压取值为比第一输入电压高一个NMOS的阈值电压；驱动第一NMOS管关断的电压取值为小于等于第一输入电压。

4.如权利要求1所述的电压切换电路，其特征在于，所述第三栅极驱动电压驱动第二NMOS管导通的电压取值为比第一输入电压高一个NMOS阈值；驱动第二NMOS管关断的电压取值为小于等于第一输入电压，且小于或等于输出电压。

5.如权利要求1所述的电压切换电路，其特征在于，所述第四栅极驱动电压驱动第三NMOS管导通的电压取值为比第二输入电压高一个NMOS阈值；驱动第三NMOS管关断的电压取值为小于等于第二输入电压。

6.如权利要求1所述的电压切换电路，其特征在于，所述第五栅极驱动电压驱动第四NMOS管导通的电压取值为比第二输入电压高一个NMOS阈值；驱动第四NMOS管关断的电压取值为小于等于第二输入电压，且小于等于输出电压。

7.一种如权利要求1至6中任意一项权利要求所述电压切换电路的切换方法，其特征在于，包含：

当第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管处于导通状态，第一输入端到输出端的通路打开；第三NMOS管关断、第四NMOS管导通，第二输入端到输出端的通路关断；输出端输出第一输入端的电压；

当第一PMOS管导通，第二PMOS管关断，第三PMOS管导通、第一NMOS管关断，第二NMOS管关断，第一输入端到输出端的通路关断；第三NMOS管、第四NMOS管处于导通状态，第二输入端到输出端的通路打开；输出端输出第二输入端的电压。

8.如权利要求7所述的切换方法，其特征在于，所述第二PMOS管的栅极接电压取值为比第一输入端输入电压低一个PMOS管阈值电压的第一栅极驱动电压时导通；

所述第一NMOS管的栅极接电压取值为比第一输入电压高一个NMOS阈值电压的第二栅极驱动电压时导通；

所述第二NMOS管的栅极接电压取值为比第一输入电压高一个NMOS阈值电压的第三栅极驱动电压时导通；

所述第三NMOS管的栅极接电压取值为比第二输入电压高一个NMOS阈值的第四栅极驱动电压时导通；

所述第四NMOS管的栅极接电压取值为比第二输入电压高一个NMOS阈值的第五栅极驱动电压时导通。

9.如权利要求7所述的切换方法，其特征在于，所述第二PMOS管接电压取值为大于等于第一输入电压的第一栅极驱动电压时关断；

所述第一NMOS管接电压取值为小于等于第一输入电压的第二栅极驱动电压时关断；

所述第二NMOS管接电压取值为小于等于第一输入电压、且小于或等于输出电压的第三栅极驱动电压时关断；

所述第三NMOS管接电压取值为小于等于第二输入电压的第四栅极驱动电压时关断；

所述第四NMOS管接电压取值为小于等于第二输入电压、且小于等于输出电压的第五栅极驱动电压时关断。